[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201580057250.1 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN107078155A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 小林勇介;小野泽勇一;武井学 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/336;H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 金玉兰,王颖 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在第一导电型的半导体基板(29)的正面侧设置有第一槽(21)和第二槽(25)，在第一槽(21)内填充有由导电体形成的栅电极(3)。在半导体基板(29)的正面侧，以与第一槽(21)接触的方式设置有第一杂质区(22)。在第一槽(21)与栅电极(3)之间设置有第一绝缘膜(24)，第一绝缘膜(24)具有厚度比与第一杂质区(22)接触的上半部厚的下半部(31)。第二绝缘膜(26)设置在第二槽(25)内。第一绝缘膜(24)的下半部(31)与第二绝缘膜(26)的下半部(33)连接。因此，能够以简单的制造工艺兼顾IGBT的dV/dt‑Rg权衡及Rg的导通控制性的改善与IE效果的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的半导体基板；第一槽，设置在所述半导体基板的正面侧；栅电极，由填充在所述第一槽内的导电体形成；第二导电型的第一杂质区，以与所述第一槽接触的方式设置在所述半导体基板的正面侧；第一导电型的第二杂质区，设置在所述第一杂质区的表面附近区域；第一绝缘膜，设置在所述第一槽与所述栅电极之间，并具有厚度比与所述第一杂质区接触的上半部厚的下半部；第二槽，设置在所述半导体基板的正面侧；第二绝缘膜，设置在所述第二槽内，并具有厚度比上半部厚的下半部；第三绝缘膜，以跨在所述第一槽之上和所述第二槽之上的方式设置；发射极，设置在所述第三绝缘膜上，并与所述第一杂质区和所述第二杂质区电连接；第二导电型的第三杂质层，设置在所述半导体基板的背面侧；以及集电极，设置在所述第三杂质层的表面，其中，所述第一绝缘膜的下半部与所述第二绝缘膜的下半部连接。
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