[发明专利]硅化合物用蚀刻气体组合物及蚀刻方法有效
| 申请号： | 201580055015.0 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN107112223B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高桥至直;加藤惟人 | 申请（专利权）人： | 关东电化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供在薄膜形成时可以对对象基板等目标物有效地进行精密加工，且可通过无等离子体蚀刻有效地去除沉积或附着于除该对象基板等目标物以外的硅系化合物的蚀刻气体组合物及蚀刻方法。一种蚀刻气体组合物，其特征在于，包含(1)XF(X为Cl、Br或I)所示的氟化卤素化合物作为主要成分，还包含：(2)F |
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| 搜索关键词： | 化合物 蚀刻 气体 组合 方法 | ||
【主权项】：
一种蚀刻气体组合物，其特征在于，包含(1)XF所示的氟化卤素化合物作为主要成分，还包含：(2)F2、(3)XFn所示的氟化卤素化合物、(4)HF、(5)O2以及(6)选自Cl2、Br2和I2中的1种以上的卤素气体单质，其中，X为Cl、Br或I，n为3以上的整数。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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