[发明专利]硅化合物用蚀刻气体组合物及蚀刻方法有效
| 申请号： | 201580055015.0 | 申请日： | 2015-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN107112223B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 高桥至直;加藤惟人 | 申请（专利权）人： | 关东电化工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 蚀刻 气体 组合 方法 | ||
1.一种蚀刻气体组合物，其特征在于，包含(1)XF所示的氟化卤素化合物90.00vol％～99.999vol％，还包含：(2)F2、(3)XFn所示的氟化卤素化合物、(4)HF、(5)O2以及(6)选自Cl2、Br2和I2中的1种以上的卤素气体单质，其中，X为Cl、Br或I，n为3以上的整数。
2.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其包含：(1)XF所示的氟化卤素化合物90.00vol％～99.999vol％、(2)F2和(6)卤素气体单质的总计为0.000005vol％～0.20vol％、(3)XFn所示的氟化卤素化合物0.000005vol％～0.10vol％、(4)HF0.000003vol％～0.30vol％以及(5)余量O2，其中，X为Cl、Br或I，n为3以上的整数。
3.根据权利要求1所述的蚀刻气体组合物，其包含：(1)XF所示的氟化卤素化合物90.00vol％～99.999vol％、(2)F2和(6)卤素气体单质的总计为0.000005vol％～0.20vol％、(3)XFn所示的氟化卤素化合物0.000005vol％～0.10vol％、(4)HF0.000003vol％～0.30vol％、(5)余量O2以及稀释剂，其中，X为Cl、Br或I，n为3以上的整数。
4.一种蚀刻方法，其特征在于，其为通过由热能引起的蚀刻气体的激发对半导体基板进行蚀刻或加工的方法，不使用等离子体，而使用权利要求1～3中任一项所述的蚀刻气体组合物，对选自晶体硅、非晶硅、SiC、SiOC、SiOCN、SiON、SiCN、SiN以及SiOm的硅化合物的沉积物或薄膜进行加工或蚀刻，其中，m为自然数。
5.一种蚀刻方法，其特征在于，其为通过由热能引起的蚀刻气体的激发对半导体基板进行蚀刻或加工的方法，不使用等离子体，而以-10℃～800℃的蚀刻温度使用权利要求1～3中任一项所述的蚀刻气体组合物，对选自晶体硅、非晶硅、SiC、SiOC、SiOCN、SiON、SiCN、SiN以及SiOm的硅化合物的沉积物或薄膜进行加工或蚀刻，其中，m为自然数。
6.根据权利要求4或5所述的蚀刻方法，其特征在于，所述硅化合物为Poly-Si。
7.根据权利要求4或5所述的蚀刻方法，其特征在于，所述硅化合物为Poly-SiOm。
8.根据权利要求5所述的蚀刻方法，其特征在于，蚀刻温度为0℃～400℃。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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