[发明专利]半导体装置、电路板及电子设备在审
| 申请号： | 201580055011.2 | 申请日： | 2015-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106796918A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 大贯达也;加藤清;上杉航;石津贵彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;G11C11/4097;H01L21/8234;H01L27/088;H01L27/108;H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 叶培勇,付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低功耗的半导体装置或者面积小的半导体装置。该半导体装置包括包括第一存储单元及第二存储单元的单元阵列；以及包括第一读出放大器及第二读出放大器的读出放大器电路，其中，单元阵列设置在读出放大器电路上，第一读出放大器通过第一布线BL与第一存储单元电连接，第二读出放大器通过第二布线BL与第二存储单元电连接，第一读出放大器及第二读出放大器与布线GBL电连接，并且，读出放大器电路选择第一布线BL的电位和第二布线BL的电位中的一个并将其输出到布线GBL。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电路板 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：包括第一读出放大器及第二读出放大器的读出放大器电路；以及所述读出放大器电路上的单元阵列，所述单元阵列包括第一存储单元及第二存储单元，其中，所述第一存储单元通过第一布线与所述第一读出放大器电连接，所述第二存储单元通过第二布线与所述第二读出放大器电连接，所述第一读出放大器及所述第二读出放大器与第三布线电连接，并且，所述读出放大器电路配置成选择所述第一布线的电位和所述第二布线的电位中的一个并将所选择的电位输出到所述第三布线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580055011.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有硅衬底的光电子模块以及此类模块的制造方法
- 下一篇：散热部件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
