[发明专利]半导体装置、电路板及电子设备

说明书

技术领域

本发明的一个方式涉及一种半导体装置或存储装置。

注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。另外，本发明的一个方式涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、电路板、电子设备、这些装置的驱动方法或制造方法。

背景技术

DRAM(Dynamic Random Access Memory：动态随机存取存储器)通过对电容元件供应电荷来储存数据。因此，控制对电容元件的电荷供应的晶体管的关态电流(off-state current)越小，能够使保持数据的期间越长，而可以降低刷新工作的频度，所以是优选的。专利文献1中记载有通过使用包括氧化物半导体膜的关态电流极小的晶体管而能够长期保持存储内容的半导体装置。

[参考文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利申请公开第2011-151383号公报

发明内容

本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的半导体装置或存储装置。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种低功耗的半导体装置或存储装置。另外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种面积小的半导体装置或存储装置。

注意，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的，只要可以实现至少一个目的即可。另外，上述目的的记载不妨碍其他目的的存在。此外，除上述目的外的目的从说明书、附图、权利要求书等的描述中是显而易见的，并且可以从所述描述中抽出。

本发明的一个方式的半导体装置包括：包括第一存储单元及第二存储单元的单元阵列；以及包括第一读出放大器及第二读出放大器的读出放大器电路，其中，单元阵列设置在读出放大器电路上，第一读出放大器通过第一布线与第一存储单元电连接，第二读出放大器通过第二布线与第二存储单元电连接，第一读出放大器及第二读出放大器与第三布线电连接，并且，读出放大器电路选择第一布线的电位和第二布线的电位中的一个并将其输出到第三布线。

在上述半导体装置中，第一读出放大器可以包括第一开关电路，第二读出放大器可以包括第二开关电路，其中，第一开关电路与第四布线电连接，第二开关电路与第五布线电连接，并且第一开关电路、第二开关电路、第四布线及第五布线具有与单元阵列重叠的区域。

在上述半导体装置中，第一存储单元及第二存储单元可以各包括晶体管及电容元件，其中，晶体管的源极和漏极中的一个与电容元件电连接，并且晶体管在沟道形成区中包含氧化物半导体。

在上述半导体装置中，电容元件可以设置在晶体管上，电容元件可以具有与氧化物半导体重叠的区域。

本发明的一个方式的电路板包括：包括上述半导体装置的电子构件；以及印刷电路板。

本发明的一个方式的电子设备包括：上述半导体装置或者上述电路板；以及显示部、麦克风、扬声器和操作键中的至少一个。

通过本发明的一个方式，能够提供一种新颖的半导体装置或存储装置。另外，通过本发明的一个方式，能够提供一种低功耗的半导体装置或存储装置。另外，通过本发明的一个方式，能够提供一种面积小的半导体装置或存储装置。

注意，这些效果的记载不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不一定必须要具有所有上述效果。此外，除上述效果外的效果从说明书、附图、权利要求书等的描述中是显而易见的，并且可以从所述描述中抽出。

附图说明

图1示出半导体装置的结构的一个例子；

图2A至图2C示出存储电路的结构的一个例子；

图3示出存储电路的结构的一个例子；

图4A至图4D示出读出放大器电路的结构的一个例子；

图5示出存储电路的结构的一个例子；

图6示出时序图；

图7示出存储电路的结构的一个例子；

图8示出存储电路的结构的一个例子；

图9示出阵列的结构的一个例子；

图10示出存储装置的结构的一个例子；

图11示出半导体装置的结构的一个例子；

图12示出半导体装置的结构的一个例子；

图13A至图13D示出晶体管的结构的一个例子；

图14A至图14D示出晶体管的结构的一个例子；