[发明专利]像素电路和摄像装置有效
| 申请号： | 201580053838.X | 申请日： | 2015-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN106796944B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 原田耕一;西原利幸 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L21/337;H01L27/098;H01L29/808;H01L31/02;H04N5/361;H04N5/369;H04N5/374 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明消除了图像传感器中的浮动扩散层(FD)的暗电流，且提高了将电荷转换成电压的转换效率。本发明提供了一种像素电路，其包括光电转换部、控制晶体管和电荷累积部。所述光电转换部将沿着光轴入射的光转换成电荷。所述控制晶体管根据输入电压来控制输出电压。所述电荷累积部在所述光轴上的位于所述控制晶体管与所述光电转换部之间的区域中累积电荷，并且将与所累积的电荷量相对应的电压作为所述输入电压而提供至所述控制晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 电路 摄像 装置 | ||
【主权项】：
一种像素电路，其包括：光电转换部，所述光电转换部将沿着光轴入射的光转换成电荷；控制晶体管，所述控制晶体管根据输入电压来控制输出电压；以及电荷累积部，所述电荷累积部在所述光轴上的位于所述控制晶体管与所述光电转换部之间的区域中累积电荷，并且将与所累积的电荷量相对应的电压作为所述输入电压而提供至所述控制晶体管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼半导体解决方案公司，未经索尼半导体解决方案公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580053838.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
