[发明专利]像素电路和摄像装置

权利要求书

1.一种像素电路，其包括：

光电转换部，所述光电转换部将沿着光轴入射的光转换成电荷；

控制晶体管，所述控制晶体管根据输入电压来控制输出电压；以及

电荷累积部，所述电荷累积部在所述光轴上的位于所述控制晶体管与所述光电转换部之间的区域中累积电荷，并且将与所累积的电荷量相对应的电压作为所述输入电压而提供至所述控制晶体管，

其中，所述控制晶体管的沟道和所述电荷累积部被电荷累积部与沟道间屏障分离。

2.如权利要求1所述的像素电路，其中

所述输出电压是所述控制晶体管的源极与所述控制晶体管的漏极之间的电压，并且

所述电荷累积部在所述光轴上的位于所述源极及所述漏极与所述光电转换部之间的所述区域中累积所述电荷。

3.如权利要求1所述的像素电路，其中

在与所述光轴垂直的平面内，所述电荷累积部的面积大于所述控制晶体管的面积。

4.如权利要求1所述的像素电路，其中

所述控制晶体管是结型场效应晶体管。

5.如权利要求1所述的像素电路，其中

所述控制晶体管是金属氧化物半导体型场效应晶体管，即MOS型场效应晶体管。

6.如权利要求1所述的像素电路，其还包括：

复位晶体管，所述复位晶体管通过向复位栅极和复位漏极施加预定电位来将所述电荷量设定为初始值，所述复位栅极和所述复位漏极被设置在与所述光轴垂直的平面上。

7.如权利要求6所述的像素电路，其中

所述复位栅极和所述复位漏极沿着从所述控制晶体管的源极到所述控制晶体管的漏极的方向布置着。

8.如权利要求6所述的像素电路，其中

所述复位栅极和所述复位漏极沿着与从所述控制晶体管的源极到所述控制晶体管的漏极的方向正交的方向布置着。

9.如权利要求6所述的像素电路，其中

所述复位栅极和所述控制晶体管的沟道是按照相同的杂质分布而被形成的。

10.如权利要求6所述的像素电路，其中

所述复位栅极与所述电荷累积部邻接。

11.如权利要求1所述的像素电路，其中所述控制晶体管包括：

源极和漏极；

沟道，所述沟道被设置在所述源极与所述漏极之间；以及

沟道袋，所述沟道袋沿着从所述漏极到所述源极的方向而被形成在所述源极与所述漏极之间，

并且其中所述沟道袋的电位高于所述沟道的电位。

12.如权利要求1所述的像素电路，其中所述控制晶体管包括：

源极和漏极；

沟道，所述沟道被设置在所述源极与所述漏极之间；以及

沟道屏障，所述沟道屏障沿着与从所述漏极到所述源极的方向正交的方向而被形成在所述源极与所述漏极之间，

并且其中所述沟道屏障的电位低于所述沟道的电位。

13.如权利要求1所述的像素电路，其还包括：

电荷累积部袋，所述电荷累积部袋的电位高于所述电荷累积部的电位，

其中所述电荷累积部袋沿着与从所述控制晶体管的漏极到所述控制晶体管的源极的方向正交的方向而被设置在由所述电荷累积部包围的区域中。

14.如权利要求1至13中任一项所述的像素电路，其中

所述电荷累积部与沟道间屏障被添加有扩散系数比所述沟道的杂质的扩散系数小的杂质。

15.如权利要求14所述的像素电路，其中

被添加至所述电荷累积部与沟道间屏障中的所述杂质是铟。