[发明专利]用于制造光电子半导体部件的方法和光电子半导体部件有效

专利信息
申请号: 201580053084.8 申请日: 2015-09-24
公开(公告)号: CN107078196B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: B.伯姆;D.扎斯佩尔;S.哈陶尔;B.霍克斯霍尔德 申请(专利权)人: 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司;欧司朗有限责任公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/64
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 说明一种光电子半导体部件和一种用于制造光电子半导体部件的方法,该方法包括以下步骤:A)将至少一个半导体芯片(2)布置在载体(1)上,B)将电绝缘的光刻胶(3)施加到载体(1)的上侧(1a)和半导体芯片(2)上,C)利用加热步骤硬化光刻胶(3),D)通过曝光来结构化光刻胶(3),F)对光刻胶(3)进行显影,其中将光刻胶(3)至少从半导体芯片(2)的辐射通过面(2b)上去除,G)利用加热步骤另外地硬化光刻胶(3),和H)将导电接触层(4)施加到光刻胶(3)上,其中导电接触层(4)局部地具有与光刻胶(3)的侧面(3a)的一定间距(A),所述侧面朝向半导体芯片(2),其中朝向半导体芯片(2)的侧面(3a)局部裸露。
搜索关键词: 用于 制造 光电子 半导体 部件 方法
【主权项】:
1.用于制造光电子半导体部件(10)的方法,具有按照所说明的顺序的以下步骤:A) 将至少一个半导体芯片(2)布置在载体(1)上,B) 将电绝缘的光刻胶(3)施加到载体(1)的上侧(1a)和半导体芯片(2)上,C) 利用加热步骤硬化光刻胶(3),D) 通过曝光来结构化光刻胶(3),F) 对光刻胶(3)进行显影,其中将光刻胶(3)至少从半导体芯片(2)的辐射通过面(2b)上去除,G) 利用加热步骤另外地硬化光刻胶(3),所述加热步骤具有到至少200℃的温度上的最后的加热,所述温度高于在步骤C)中的温度,和H) 将导电接触层(4)施加到光刻胶(3)上,其中导电接触层(4)局部地具有与光刻胶(3)的侧面(3a)的一定间距(A),所述侧面(3a)朝向半导体芯片(2),其中朝向半导体芯片(2)的侧面(3a)局部裸露。
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