[发明专利]用于制造光电子半导体部件的方法和光电子半导体部件

说明书

说明一种光电子半导体部件和一种用于制造光电子半导体部件的方法，该方法包括以下步骤：A）将至少一个半导体芯片（2）布置在载体（1）上，B）将电绝缘的光刻胶（3）施加到载体（1）的上侧（1a）和半导体芯片（2）上，C）利用加热步骤硬化光刻胶（3），D）通过曝光来结构化光刻胶（3），F）对光刻胶（3）进行显影，其中将光刻胶（3）至少从半导体芯片（2）的辐射通过面（2b）上去除，G）利用加热步骤另外地硬化光刻胶（3），和H）将导电接触层（4）施加到光刻胶（3）上，其中导电接触层（4）局部地具有与光刻胶（3）的侧面（3a）的一定间距（A），所述侧面朝向半导体芯片（2），其中朝向半导体芯片（2）的侧面（3a）局部裸露。

技术领域

本发明涉及一种用于制造光电子半导体部件的方法和一种光电子半导体部件。

背景技术

该专利申请要求德国专利申请10 2014 114 188.1的优先权，该德国专利申请的公开内容就此并入本文。

在运行时发射UV光或蓝色波长范围内的光的光电子半导体部件中，半导体部件的绝缘体、钝化部和其他组成部分遭受巨大的荷载。用于半导体芯片的常见的钝化部以及用于半导体芯片的边缘区域的绝缘体材料在时间过程中具有例如变色、易碎形式的老化现象以及降低的耐热性或者绝缘体特性的限制。

光刻胶作为介电钝化部或绝缘体的应用在光电子半导体部件的通常制造中是不常见的，所述介电钝化部或绝缘体在完成半导体部件之后永久地在该半导体部件中保留。光刻胶的附加的硬化方法得出光刻胶在遭受能量辐射和在光电子半导体部件的运行中的高温的抗性方面的有利的特性。

发明内容

本发明所基于的任务是说明一种用于制造光电子半导体部件的方法以及一种光电子半导体部件，该光电子半导体部件的特征在于高的UV抗性和温度抗性和长的寿命。

该任务通过根据独立权利要求的方法和产品来解决。本发明的有利的设计方案和扩展方案是从属权利要求的主题。

在用于制造光电子半导体部件的方法中，在方法步骤A）中提供载体。此外在方法步骤A）中将至少一个半导体芯片布置在载体上。

例如将半导体芯片布置在载体上，使得半导体芯片被载体材料包围。在此，载体材料可以有利地是一种浇注材料，该浇注材料在至少部分地将半导体芯片横向嵌入之后构成载体。在浇注半导体芯片之后，浇注物有利地被硬化并且因此构成载体。替代于此，半导体芯片也可以布置在载体之上。

在用于制造光电子半导体部件的方法中，在进一步的方法步骤B）中，将电绝缘的光刻胶施加在载体的上侧和半导体芯片上。

有利地，例如借助旋涂（spin coating）在载体和半导体芯片上整面地施加光刻胶。由此实现利用光刻胶的可简单执行的并且均匀的涂层。旋涂例如以1500rpm的旋转速度进行。因此特别是可以实现光刻胶的高达15μm的层厚。

在进一步的方法步骤C）中，光刻胶利用加热步骤来硬化。

通过加热步骤（烘烤），光刻胶在高温下被加热并且因此固化，因为例如溶剂的湿气和残留物部分从光刻胶中脱去。加热步骤有利地以（180±2）s的持续时间和光刻胶的（110±5）℃的温度（所谓的“软烘烤”）进行。加热步骤的所选择的持续时间在此取决于光刻胶的厚度。例如所使用的持续时间在较薄和较厚的光刻胶的情况下也可以得出小于或大于180s的结果。此外，所选择的温度取决于半导体芯片和/或载体的规格。例如该温度在半导体芯片和/或载体的较高或较低的导热性的情况下也可以得出低于或高于110℃的结果。

在用于制造光电子半导体部件的方法的进一步的方法步骤D）中，通过曝光结构化光刻胶。