[发明专利]固态成像元件、制造方法和电子设备在审
申请号: | 201580052401.4 | 申请日: | 2015-09-18 |
公开(公告)号: | CN106796942A | 公开(公告)日: | 2017-05-31 |
发明(设计)人: | 大塚洋一 | 申请(专利权)人: | 索尼半导体解决方案公司 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京正理专利代理有限公司11257 | 代理人: | 付生辉 |
地址: | 日本国神奈川*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及可通过减少像质劣化实现较高的像质的固态成像装置、制造固态成像装置的方法和电子设备。固态成像装置包括半导体基板,其具有针对各像素形成的光电二极管,光电二极管进行光电转换;滤色片,其使颜色与各像素对应的光通过,滤色片叠置在半导体基板的光入射面侧上;和遮光膜,其设置在各像素的滤色片之间,遮光膜是通过叠置第一遮光膜和第二遮光膜形成的,第一遮光膜和第二遮光膜是用两种彼此不同的材料形成的。第一遮光膜是用具有遮光效果的金属形成的,且第二遮光膜是用具有光敏性的树脂形成的。本技术可应用于例如背照式CMOS图像传感器。 | ||
搜索关键词: | 固态 成像 元件 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】:
一种固态成像装置,包括:半导体基板,其具有针对各像素形成的光电二极管,所述光电二极管进行光电转换;滤色片,其配置成使颜色与所述各像素对应的光通过,所述滤色片叠置在所述半导体基板的光入射面侧上;和遮光膜,其设置在所述各像素的所述滤色片之间,所述遮光膜是通过叠置第一遮光膜和第二遮光膜形成的,所述第一遮光膜和所述第二遮光膜是用两种彼此不同的材料形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的