[发明专利]形成有多个纳米间隙的基底及其制备方法有效
| 申请号： | 201580051781.X | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN107075661B | 公开（公告）日： | 2020-03-17 |
| 发明（设计）人： | 朴圣奎;尹政钦;金东好;赵炳镇;权正大;文彩愿 | 申请（专利权）人： | 韩国机械研究院 |
| 主分类号： | C23C14/22 | 分类号： | C23C14/22;C23C14/34;C23C16/44;G01J3/44;G01N21/65;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 陈静;严政 |
| 地址： | 韩国大*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有多个纳米间隙的基底及其制备方法，更具体地，本发明涉及一种具有高吸收且能够在宽范围内使用光源的多纳米间隙基底及其制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 有多个 纳米 间隙 基底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有多个纳米间隙的基底，包含：基底，包含形成为在表面上间隔开的突起结构；含有金属的薄层，在所述基底和所述突起结构的表面上形成；绝缘层，在所述含有金属的薄层上形成；和含有金属的纳米颗粒，在所述绝缘层上形成，其中，所述含有金属的纳米颗粒与其它含有金属的纳米颗粒和所述含有金属的薄层具有纳米间隙。
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