[发明专利]参数引脚测量单元高电压扩展有效

专利信息
申请号: 201580050517.4 申请日: 2015-09-21
公开(公告)号: CN107003344B 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 帕特里克·G·苏利万 申请(专利权)人: 艾利维特半导体公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 李兰;孙志湧
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种用于测量信号的集成电路,包括发送强制信号的参数引脚测量单元(PPMU),所述PPMU具有第一放大器、第二放大器,所述第二放大器的输出端通过公共电阻器连接到所述第一放大器的输入端;电压‑电流转换器,连接到所述PPMU输出并具有第一输出和第二输出;n沟道MOSFET,连接到所述电压‑电流转换器的第一输出;p沟道MOSFET,连接到所述电压‑电流转换器的第二输出;缓冲放大器,连接到所述n沟道MOSFET和所述p沟道MOSFET之间的输出端口;以及电阻分压器,连接到所述缓冲放大器的输出。
搜索关键词: 参数 引脚 测量 单元 电压 扩展
【主权项】:
1.一种用于测量信号的集成电路(IC)组件,包括:参数引脚测量单元,所述参数引脚测量单元被配置为发送强制信号,所述参数引脚测量单元具有第一放大器和第二放大器,通过连接在所述第二放大器的输出端和所述第一放大器的输入端之间的公共电阻器,所述第二放大器的所述输出端连接到所述第一放大器的所述输入端;电压‑电流转换器,所述电压‑电流转换器经由所述公共电阻器连接到所述第二放大器的输出端,所述电压‑电流转换器具有第一输出和第二输出;多个n沟道MOSFET,所述多个n沟道MOSFET连接到所述电压‑电流转换器的所述第一输出;多个p沟道MOSFET,所述多个p沟道MOSFET连接到所述电压‑电流转换器的所述第二输出;缓冲放大器,所述缓冲放大器连接到所述多个n沟道MOSFET和所述多个p沟道MOSFET之间的输出端口;以及电阻分压器,所述电阻分压器连接到所述缓冲放大器的输出,所述电阻分压器具有第一电阻器和第二电阻器;由此,依赖于在所述参数引脚测量单元的所述第二放大器的输入端与所述第一放大器的输出端处的连接,所述集成电路(IC)组件允许所述信号的更低和更高的电压和电流的测量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于艾利维特半导体公司,未经艾利维特半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580050517.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top