[发明专利]参数引脚测量单元高电压扩展

权利要求书

1.一种用于测量信号的集成电路(IC)组件，包括：

参数引脚测量单元，所述参数引脚测量单元被配置为发送强制信号，所述参数引脚测量单元具有第一放大器和第二放大器，通过连接在所述第二放大器的输出端和所述第一放大器的输入端之间的公共电阻器，所述第二放大器的所述输出端连接到所述第一放大器的所述输入端；

电压-电流转换器，所述电压-电流转换器经由所述公共电阻器连接到所述第二放大器的输出端，所述电压-电流转换器具有第一输出和第二输出；

多个n沟道MOSFET，所述多个n沟道MOSFET连接到所述电压-电流转换器的所述第一输出；

多个p沟道MOSFET，所述多个p沟道MOSFET连接到所述电压-电流转换器的所述第二输出；

缓冲放大器，所述缓冲放大器连接到所述多个n沟道MOSFET和所述多个p沟道MOSFET之间的输出端口；以及

电阻分压器，所述电阻分压器连接到所述缓冲放大器的输出，所述电阻分压器具有第一电阻器和第二电阻器；

由此，依赖于在所述参数引脚测量单元的所述第二放大器的输入端与所述第一放大器的输出端处的连接，所述集成电路(IC)组件允许所述信号的更低和更高的电压和电流的测量。

2.根据权利要求1所述的集成电路(IC)组件，其中，当在所述第二放大器的正端处给予强制电压并且来自所述缓冲放大器的输出被施加到所述第二放大器的负端时，导致所述参数引脚测量单元的强制电压模式。

3.根据权利要求1所述的集成电路(IC)组件，其中，当在所述第二放大器的正端处给予代表强制电流的电压并且来自所述第一放大器的输出被施加到所述第二放大器的负端时，导致所述参数引脚测量单元的强制电流模式。

4.根据权利要求1所述的集成电路(IC)组件，其中，所述多个n沟道MOSFET和所述多个p沟道MOSFET充当电流镜电路。

5.根据权利要求1所述的集成电路(IC)组件，其中，所述多个n沟道MOSFET中的至少一个和所述多个p沟道MOSFET中的至少一个被栅极-漏极连接。

6.一种用于测量高电流范围的集成电路(IC)，包括：

参数引脚测量单元，所述参数引脚测量单元具有第一放大器和第二放大器，通过连接在所述第二放大器的输出端和所述第一放大器的输入端之间的公共电阻器，所述第二放大器的所述输出端被施加到所述第一放大器的所述输入端；

电压-电流转换器，所述电压-电流转换器经由所述公共电阻器连接到所述第二放大器的输出端，所述电压-电流转换器具有第一输出和第二输出；

多个n沟道MOSFET，所述多个n沟道MOSFET连接到所述电压-电流转换器的所述第一输出；

多个p沟道MOSFET，所述多个p沟道MOSFET连接到所述电压-电流转换器的所述第二输出；

缓冲放大器，所述缓冲放大器连接到所述多个n沟道MOSFET和所述多个p沟道MOSFET之间的输出端口；以及

电阻分压器，所述电阻分压器具有连接到所述缓冲放大器的输出的第一电阻器和第二电阻器，所述电阻分压器将反馈信号提供到所述第二放大器的负端；

由此，当强制电压(VFORCE)被施加到所述第二放大器的正端时，能够从所述多个n沟道MOSFET和所述多个p沟道MOSFET之间的所述输出端口测量电流。

7.根据权利要求6所述的集成电路(IC)，其中，根据来自所述电阻分压器的反馈电压来确定被施加到所述第二放大器的正端的所述强制电压(VFORCE)。

8.根据权利要求6所述的集成电路(IC)，其中，来自所述电阻分压器的反馈电压由在所述输出端口处的下述电压来确定，所述电压由缓冲放大器缓冲并且然后由电阻分压器分压。

9.根据权利要求6所述的集成电路(IC)，其中，所述多个n沟道MOSFET和所述多个p沟道MOSFET充当电流镜电路。