[发明专利]具有增大的宽度的三端口位单元有效
| 申请号： | 201580044997.3 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN106796884B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | N·N·莫江德;S·S·宋;Z·王;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/768;H01L27/02;H01L27/11;G11C7/18;G11C8/16;G11C11/40;G11C11/412;G11C11/419;G11C29/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳;袁逸 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种装置包括第一读端口、第二读端口、写端口以及至少一个存储锁存器。包括第一读端口、第二读端口和写端口的位单元的宽度大于与该位单元相关联的接触式多晶间距(CPP)的两倍。例如，位单元可以是与自对准双图案化(SADP)工艺兼容且可使用小于14纳米(nm)的半导体制造工艺来制造的三端口静态随机存取存储器(SRAM)位单元。 | ||
| 搜索关键词： | 位单元 读端口 三端口 写端口 静态随机存取存储器 半导体制造工艺 存储锁存器 工艺兼容 接触式 图案化 增大的 自对准 多晶 关联 制造 | ||
【主权项】：
一种半导体装备，包括：位单元，其包括：第一读端口；第二读端口；写端口；耦合至所述第一读端口和所述写端口的第一存储锁存器；以及耦合至所述第二读端口和所述写端口的第二存储锁存器，所述第一存储锁存器的第一侧通过短路连接来连接至所述第二存储锁存器的第一侧，其中所述位单元的宽度大于与所述位单元相关联的接触式多晶间距CPP的两倍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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