[发明专利]氮化镓衬底有效
申请号: | 201580040883.1 | 申请日: | 2015-04-16 |
公开(公告)号: | CN106574398B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 木山诚;弘田龙;中畑成二 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | C30B29/38 | 分类号: | C30B29/38;H01L21/205 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 韩峰;孙志湧 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种氮化镓衬底,所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面,所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域,在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中,所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值,所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下的关系表达式(I)和(II):Ibe1a>Ibe2a...(I)以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。 | ||
搜索关键词: | 氮化 衬底 | ||
【主权项】:
1.一种氮化镓衬底,所述氮化镓衬底用不小于100mm直径的C面来作为表面,所述氮化镓衬底包括第一区域和第二区域,在位于所述C面中的并且每个边均为2mm长度的正方形区域中的25℃时的显微光致发光扫描成像中,所述第一区域和所述第二区域具有不同的带边发射强度的平均值,所述第一区域的带边发射强度的平均值Ibe1a和所述第二区域的带边发射强度的平均值Ibe2a满足以下关系表达式(I)和(II):Ibe1a>Ibe2a...(I),以及2.1≤Ibe1a/Ibe2a≤9.4...(II)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于住友电气工业株式会社,未经住友电气工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580040883.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:单晶生长装置及使用该装置的单晶生长方法
- 下一篇:冷却材料