[发明专利]通孔材料选择和处理有效
| 申请号： | 201580020697.1 | 申请日： | 2015-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN107004636B | 公开（公告）日： | 2020-07-28 |
| 发明（设计）人： | J·J·朱;J·J·徐;S·S·宋;K·利姆;Z·王 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/532 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈炜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体互连和用于制造半导体互连的方法。一种互连可包括在第一导电互连层与第一中部制程(MOL)互连层之间的第一导电材料的第一通孔。第一MOL互连层在第一级上。第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的。该半导体互连还包括在第一导电互连层与第二MOL互连层之间的第二导电材料的第二通孔。第二MOL互连层在第二级上。第二通孔是用双镶嵌工艺来制造的。第一导电材料不同于第二导电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 选择 处理 | ||
【主权项】：
一种半导体互连，包括：第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔在第一导电互连层与至少第一级上的第一中部制程(MOL)互连层之间，所述第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的；以及第二导电材料的第二通孔，所述第二通孔在所述第一导电互连层与至少第二级上的第二MOL互连层之间，所述第二通孔是用双镶嵌工艺来制造的，所述第一导电材料不同于所述第二导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
