[发明专利]通孔材料选择和处理

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔在第一导电互连层的第一部分与至少第一级上的第一中部制程MOL互连层之间，所述第一通孔是用单镶嵌工艺来制造的，其中，所述第一导电互连层的所述第一部分是第二导电材料的并且所述第一通孔被布置在电介质层中；

所述第二导电材料的第二通孔，所述第二通孔在所述第一导电互连层的第二部分与至少第二级上的第二MOL互连层之间，所述第二通孔和所述第一导电互连层是用双镶嵌工艺来制造的，其中，所述第一导电互连层的所述第二部分是所述第二导电材料的并且所述第二通孔被布置在所述电介质层中，所述第一导电材料不同于所述第二导电材料；以及

电路，所述电路耦合到所述第一MOL互连层或所述第二MOL互连层之一，所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层被布置在所述电路与所述第一导电互连层之间。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一通孔的长度不同于所述第二通孔的长度。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一通孔的电阻不同于所述第二通孔的电阻。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电材料是钨并且所述第二导电材料是铜。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的纵横比来选择的。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于耦合到所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层之一的所述电路来选择的。

7.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件被集成到移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、计算机、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元和/或固定位置数据单元中。

8.一种制造中部制程MOL半导体器件的方法，包括：

在电介质层中制造第一导电材料的第一通孔，所述第一通孔在单镶嵌工艺中耦合到第一级上的第一MOL互连层；以及

用双镶嵌工艺来制造第二导电材料的第二通孔和第一导电互连层，所述第二通孔是在所述电介质层中制造的，所述第一导电互连层的第一部分耦合到所述第一通孔，所述第一导电材料不同于所述第二导电材料，所述第二通孔耦合到所述第一导电互连层的第二部分和第二级上的第二MOL互连层，其中，一电路耦合到所述第一MOL互连层或所述第二MOL互连层之一，所述第一MOL互连层和所述第二MOL互连层被布置在所述电路与所述第一导电互连层之间。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括：至少部分地基于所述第二通孔的纵横比来选择所述第二导电材料。

10.如权利要求8所述的方法，其特征在于，进一步包括：至少部分地基于所述第一导电互连层与所述第二MOL互连层之间的期望电阻来选择所述第二导电材料。

11.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一通孔的长度不同于所述第二通孔的长度。

12.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一通孔的电阻不同于所述第二通孔的电阻。

13.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一导电材料是钨并且所述第二导电材料是铜。

14.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一导电材料和所述第二导电材料中的至少一者是至少部分地基于所述第一通孔的纵横比来选择的。