[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201580009812.5 申请日: 2015-03-25
公开(公告)号: CN106030736B 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 野泽宣介 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;B22F3/24;C22C38/00;H01F1/057;H01F1/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其包括准备R-T-B系烧结磁体原材的工序,所述R-T-B系烧结磁体原材以式uRwBxGayCuzAlqM(100-u-w-x-y-z-q)T来表示,上述RH为R-T-B系烧结磁体的5质量%以下,在29.5≤u≤32.0、0.86≤w≤0.93、0.2≤x≤1.0、0.3≤y≤1.0、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1且p=[B]/10.811×14-[Fe]/55.847-[Co]/58.933时,满足p<0的关系;和将上述R-T-B系烧结磁体原材在450℃以上且470℃以下的温度加热4小时以上且12小时以下的热处理工序。
搜索关键词: 烧结 磁体 制造 方法
【主权项】:
一种R-T-B系烧结磁体的制造方法,其包括:准备R-T-B系烧结磁体原材的工序,所述烧结磁体原材以式uRwBxGayCuzAlqM(100-u-w-x-y-z-q)T来表示,其中,R包含轻稀土元素RL和重稀土元素RH,RL为Nd和/或Pr,RH为Dy、Tb、Gd及Ho中的至少一种,T为过渡金属元素且必须包含Fe,M为Nb和/或Zr,u、w、x、y、z、q及100-u-w-x-y-z-q表示质量%,并且所述RH为R-T-B系烧结磁体的2.5质量%以下,在29.5≤u≤32.0、0.86≤w≤0.93、0.2≤x≤1.0、0.3≤y≤1.0、0.05≤z≤0.5、0≤q≤0.1、且p=[B]/10.811×14-[Fe]/55.847-[Co]/58.933时,满足p<0的关系,其中[B]、[Fe]、[Co]分别表示B、Fe、Co的质量%;和将所述R-T-B系烧结磁体原材在450℃以上且470℃以下的温度加热4小时以上且12小时以下的热处理工序。
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