[发明专利]R-T-B系烧结磁体的制造方法有效

专利信息
申请号: 201580009812.5 申请日: 2015-03-25
公开(公告)号: CN106030736B 公开(公告)日: 2018-04-27
发明(设计)人: 野泽宣介 申请(专利权)人: 日立金属株式会社
主分类号: H01F41/02 分类号: H01F41/02;B22F3/24;C22C38/00;H01F1/057;H01F1/08
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 烧结 磁体 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种R-T-B系烧结磁体的制造方法。

背景技术

以R2T14B型化合物为主相的R-T-B系烧结磁体(R包含轻稀土元素RL和重稀土元素RH,RL为Nd和/或Pr,RH为Dy、Tb、Gd及Ho中的至少一种,T为过渡金属元素且必须包含Fe)被已知为永磁体中最高性能的磁体,其被用于混合动力汽车用、电动汽车用和家电制品用的各种电动机等中。

R-T-B系烧结磁体尤其在被用于混合动力汽车用、电动汽车用电动机时被要求具有高矫顽力HcJ(以下,有时简称为“HcJ”),以往,为了提高HcJ而在R-T-B系烧结磁体中添加大量重稀土元素(主要为Dy)。

但是,重稀土元素、尤其Dy等由于资源存在量少且产出地受限定等理由而具有供给不稳定、价格发生大幅变动等问题。因此,近年来,要求用户尽可能地不使用Dy等重稀土元素且在不使Br降低的情况下提高HcJ

专利文献1~3中提出了一种R-T-B系烧结磁体,其中,使B量比通常所含有的B量低(比R2T14B型化合物的化学计量比的B量低),并且添加Ga等,由此在尽可能不使用Dy等重稀土元素的情况下既抑制Br的降低又得到高HcJ

专利文献1记载了如下内容:通过使B量比通常的R-T-B系合金低,并且含有选自Al、Ga、Cu中的1种以上金属元素,由此生成R2T17相,并且充分确保以该R2T17相作为原料生成的过渡金属富集相(R6T13M)的体积率,从而得到矫顽力高的R-T-B系稀土烧结磁体。

另外,专利文献2记载了如下内容:低于以往的R-T-B系永磁体的硼的临界含量且含有Co、Cu及Ga的合金具有与以往的合金相比相同的残留磁化Br和更高的抗磁力HcJ

另外,专利文献3记载了如下内容:通过使B量低于通常的R-T-B系合金,并且使B、Al、Cu、Co、Ga、C、O的量处于规定的范围,进而Nd及Pr、以及Ga及C相对于B的原子比分别满足特定的关系,由此得到高残留磁通密度及矫顽力。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:国际公开第2013/008756号

专利文献2:日本特表2003-510467号公报

专利文献3:国际公开第2013/191276号

发明内容

发明要解决的课题

就R-T-B系烧结磁体而言,通常为了得到高HcJ而对烧结后的烧结磁体进行热处理。在作为生产设备而通常使用的容量大的热处理炉中存在因炉内的位置不同而使升温速度不同的情况,因此在对大量的R-T-B系烧结磁体原材进行热处理的情况下,存在因R-T-B系烧结磁体原材的载置位置不同而使直至到达热处理温度为止的时间不同的情况,随之,存在因载置位置不同而使在热处理温度下的保持时间不同的情况。例如,根据热处理炉的结构等,可能存在因载置位置不同而使在热处理温度下的保持时间有2小时左右差异的情况。通常,在热处理温度下的保持时间需要约1小时。因此,为了确保用于对升温速度慢、在热处理温度下的保持时间短的载置位置的R-T-B系烧结磁体原材也赋予高HcJ所需的保持时间(约1小时)、且抑制因载置位置不同所致的HcJ变动,需要进行3小时以上的热处理。

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