[发明专利]碳电极膜的形成方法、碳电极和相变型存储器元件的制造方法在审
| 申请号： | 201580008034.8 | 申请日： | 2015-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105980593A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 宫口有典;邹弘纲 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;H01L21/28;H01L21/285;H01L27/105;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营;蒋国伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够将表面粗糙度和电阻率降低到规定以下的碳电极膜的形成方法。本发明的一个实施方式的碳电极膜的形成方法包括：将腔内维持在0.3Pa以上1.2Pa以下的氩气气氛。对配置在上述腔内的碳制的靶，施加频率为20kHz以上20MHz以下且功率为0.1kW以上2kW以下的电源，据此，上述靶被溅射，碳粒子堆积在与上述靶相向配置的基板上。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 形成 方法 相变 存储器 元件 制造 | ||
【主权项】：
一种碳电极膜的形成方法，其特征在于，使腔内维持在0.3Pa以上1.2Pa以下的氩气气氛，对配置在所述腔内的碳制的靶施加频率为20kHz以上20MHz以下且功率为0.1kW以上2kW以下的电源，据此，溅射所述靶，使碳粒子堆积在与所述靶相向而配置的基板上。
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