[发明专利]碳电极膜的形成方法、碳电极和相变型存储器元件的制造方法在审
| 申请号： | 201580008034.8 | 申请日： | 2015-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105980593A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 宫口有典;邹弘纲 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;H01L21/28;H01L21/285;H01L27/105;H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙) 11017 | 代理人： | 韩登营;蒋国伟 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电极 形成 方法 相变 存储器 元件 制造 | ||
【权利要求书】：
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