[发明专利]产生薄无机膜的方法在审
| 申请号： | 201580006067.9 | 申请日： | 2015-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN107075678A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | K·许;C·席尔德克内希特;J·施皮尔曼;J·弗朗克;F·布拉斯伯格;M·盖特纳;D·勒夫勒;S·魏戈尼;K·希尔勒-阿恩特;K·费得塞勒;F·阿贝尔斯;T·阿德尔曼 | 申请（专利权）人： | 巴斯夫欧洲公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C07F3/00 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 张双双,刘金辉 |
| 地址： | 德国路*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种产生基材上的薄无机膜的方法，特别是原子层沉积方法。该方法包括使通式(I)的化合物变为气态或气溶胶状态和将通式(I)的化合物由气态或气溶胶状态沉积至固体基材上，其中R1、R2、R3、R4、R5和R6相互独立地为氢、烷基或三烷基甲硅烷基，n为1至3的整数，M为金属或半金属，X为与M配位的配体，且m为0至4的整数。 | ||
| 搜索关键词： | 产生 无机 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括使通式(I)的化合物变为气态或气溶胶状态Ln‑‑‑‑M‑‑‑Xm (I)和将该通式(I)的化合物由气态或气溶胶状态沉积至固体基材上，其中R1、R2、R3、R4、R5和R6相互独立地为氢、烷基或三烷基甲硅烷基，n为1至3的整数，M为金属或半金属，X为与M配位的配体，且m为0至4的整数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于巴斯夫欧洲公司，未经巴斯夫欧洲公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580006067.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
