[发明专利]产生薄无机膜的方法

权利要求书

1.一种方法，包括使通式(I)的化合物变为气态或气溶胶状态

L_n----M---X_m (I)

和将该通式(I)的化合物由气态或气溶胶状态沉积至固体基材上，其中

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵和R⁶相互独立地为氢、烷基或三烷基甲硅烷基，

n为1至3的整数，

M为金属或半金属，

X为与M配位的配体，且

m为0至4的整数。

2.根据权利要求1的方法，其中该通式(I)的化合物化学吸着在该固体基材的表面上。

3.根据权利要求1或2的方法，其中通过移除所有配体L和X分解沉积的通式(I)的化合物。

4.根据权利要求3的方法，其中分解通过暴露于水、氧等离子体或臭氧进行。

5.根据权利要求3或4的方法，其中将通式(I)的化合物沉积至固体基材上和分解沉积的通式(I)的化合物的序列进行至少两次。

6.根据权利要求1-5中任一项的方法，其中M为Sr、Ba、Ni或Co。

7.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中R²和R⁵相互独立地为氢或甲基。

8.一种通式(I)的化合物，其中

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵和R⁶相互独立地为氢、烷基或三烷基甲硅烷基，

n为1至3的整数，

M为Sr、Ba、Co或Ni，

X为与M配位的配体，且

m为0至4的整数。

9.根据权利要求8的化合物，其中R³和R⁴为氢。

10.根据权利要求8或9的化合物，其中n为2且m为0。

11.根据权利要求8-10中任一项的化合物，其中R²和R⁵相互独立地为氢或甲基。

12.通式(I)的化合物在固体基材上的膜形成方法中的用途，其中

R¹、R²、R³、R⁴、R⁵和R⁶相互独立地为氢、烷基或三烷基甲硅烷基，

n为1至3的整数，

M为金属或半金属

X为与M配位的配体，且

m为0至4的整数。