[发明专利]活塞环及其制造方法有效
申请号: | 201580002751.X | 申请日: | 2015-01-30 |
公开(公告)号: | CN105765274B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
发明(设计)人: | 小崎琢也;杉浦宏幸 | 申请(专利权)人: | 日本活塞环株式会社 |
主分类号: | F16J9/26 | 分类号: | F16J9/26;F02F5/00 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 张劲松 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的课题在于,提供一种活塞环及其制造方法,该活塞环具有耐磨损性和初期磨合性优异的硬质碳膜。而且,通过活塞环(10)解决上述课题,该活塞环(10)具有形成于活塞环基材(1)的至少外周滑动面(11)上的硬质碳膜(4),该硬质碳膜(4)通过使电子能量损失谱法(EELS)与透射电子显微镜(TEM)组合的TEM-EELS光谱法测量的sp2成分比为40%以上且80%以下的范围内,且氢含量为0.1原子%以上且5原子%以下的范围内,显现于表面的大颗粒量以面积比例计为0.1%以上且10%以下的范围内。硬质碳膜(4)形成于在低速成膜条件下形成于活塞环基材(1)侧的硬质碳基底膜(3)上,硬质碳基底膜(3)以形成硬质碳膜(4)时的电弧电流值的80%以下的电弧电流值形成。 | ||
搜索关键词: | 活塞环 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种活塞环,其特征在于,具有形成于活塞环基材的至少外周滑动面上的硬质碳膜,所述硬质碳膜通过使电子能量损失谱法(EELS)与透射电子显微镜(TEM)组合的TEM-EELS光谱法测量的sp2成分比为40%以上且80%以下的范围内,且氢含量为0.1原子%以上且5原子%以下的范围内,显现于表面的大颗粒量以面积比例计为0.1%以上且10%以下的范围内,所述硬质碳膜形成于在低速成膜条件下形成于所述活塞环基材侧的厚度为0.05μm以上且0.5μm以下的范围内的硬质碳基底膜上。
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