[发明专利]活塞环及其制造方法

权利要求书

1.一种活塞环，其特征在于，具有形成于活塞环基材的至少外周滑动面上的硬质碳膜，

所述硬质碳膜通过使电子能量损失谱法(EELS)与透射电子显微镜(TEM)组合的TEM－EELS光谱法测量的sp²成分比为40％以上且80％以下的范围内，且氢含量为0.1原子％以上且5原子％以下的范围内，显现于表面的大颗粒量以面积比例计为0.1％以上且10％以下的范围内，

所述硬质碳膜形成于在低速成膜条件下形成于所述活塞环基材侧的厚度为0.05μm以上且0.5μm以下的范围内的硬质碳基底膜上。

2.如权利要求1所述的活塞环，其中，所述硬质碳基底膜以形成所述硬质碳膜时的电弧电流值的80％以下的电弧电流值形成。

3.如权利要求1或2所述的活塞环，其中，所述硬质碳膜是在一定的成膜条件下形成的单层膜或在多个成膜条件下形成的纳米层叠膜。

4.如权利要求1或2所述的活塞环，其中，在所述活塞环基材上形成有钛或铬的基底膜。

5.一种活塞环的制造方法，显现于硬质碳膜的表面的大颗粒量以面积比例计为0.1％以上且10％以下的范围内，其特征在于，具有：

硬质碳基底膜形成工序，使通过物理性的气相蒸镀法形成于活塞环基材的至少外周滑动面上的硬质碳基底膜，在比下述硬质碳膜形成工序的成膜条件更低速的成膜条件下形成；

硬质碳膜形成工序，使与所述物理性的气相蒸镀法相同的物理性的气相蒸镀法形成于所述硬质碳基底膜上的硬质碳膜，在通过TEM－EELS光谱法测量的sp²成分比为40％以上且80％以下的范围内，且氢含量为0.1原子％以上且5原子％以下的范围内的成膜条件下形成。

6.如权利要求5所述的活塞环的制造方法，其中，所述硬质碳基底膜形成工序中的低速成膜条件中的电弧电流值为所述硬质碳膜形成工序中的电弧电流值的80％以下。

7.如权利要求5或6所述的活塞环的制造方法，其中，在所述硬质碳基底膜形成工序前，具有在活塞环基材上形成钛或铬的基底膜形成工序。

8.如权利要求5或6所述的活塞环的制造方法，其中，所述硬质碳膜形成工序中形成的硬质碳膜是在一定的成膜条件下形成的单层膜或在多个成膜条件下形成的纳米层叠膜。

9.如权利要求8所述的活塞环的制造方法，其中，所述纳米层叠膜通过交替施加两种以上不同的偏置电压而形成。