[发明专利]压电陶瓷及其制法、以及电子部件有效
| 申请号: | 201580002303.X | 申请日: | 2015-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN105658601B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
| 发明(设计)人: | 福冈修一;江口知宣;中久保仁 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
| 主分类号: | C04B35/493 | 分类号: | C04B35/493;B41J2/14;H01L41/047;H01L41/083;H01L41/187;H01L41/297;H01L41/43 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 提供烧制所引起的变形小的压电陶瓷及其制法、以及电子部件。压电陶瓷(1)具有:由含Zn以及Bi的锆钛酸铅系结晶构成的多个结晶粒子(2)、和存在于多个结晶粒子(2)间的结晶晶界(3),多个结晶粒子(2)包含结晶粒子(2)的内部的Zn以及Bi当中至少任意1种元素的含有量少于包含与该结晶粒子(2)相接的结晶晶界(3)的区域中的元素的含有量的第1结晶粒子(2a)。这样的压电陶瓷(1)能形成烧制所引起的变形小、即使壁厚较薄但翘曲或变形量也少的电子部件。 | ||
| 搜索关键词: | 压电 陶瓷 及其 制法 以及 电子 部件 | ||
【主权项】:
1.一种压电陶瓷,其特征在于,具有:由含有Zn以及Bi的锆钛酸铅系结晶构成的多个结晶粒子;和存在于该多个结晶粒子间的结晶晶界,所述多个结晶粒子包含:结晶粒子的内部的Zn以及Bi之中的至少任意1种元素的含有量少于包含与该结晶粒子相接的所述结晶晶界的区域中的所述元素的含有量的第1结晶粒子,在将所述锆钛酸铅系结晶的(111)的衍射峰值强度设为100的情况下,所述锆钛酸铅系结晶相以外的结晶相的峰值强度相对于所述锆钛酸铅系结晶的(111)的衍射峰值强度为3以下。
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