[发明专利]压电陶瓷及其制法、以及电子部件有效
| 申请号: | 201580002303.X | 申请日: | 2015-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN105658601B | 公开(公告)日: | 2018-10-30 |
| 发明(设计)人: | 福冈修一;江口知宣;中久保仁 | 申请(专利权)人: | 京瓷株式会社 |
| 主分类号: | C04B35/493 | 分类号: | C04B35/493;B41J2/14;H01L41/047;H01L41/083;H01L41/187;H01L41/297;H01L41/43 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 李国华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 压电 陶瓷 及其 制法 以及 电子 部件 | ||
1.一种压电陶瓷,其特征在于,
具有:由含有Zn以及Bi的锆钛酸铅系结晶构成的多个结晶粒子;和存在于该多个结晶粒子间的结晶晶界,
所述多个结晶粒子包含:结晶粒子的内部的Zn以及Bi之中的至少任意1种元素的含有量少于包含与该结晶粒子相接的所述结晶晶界的区域中的所述元素的含有量的第1结晶粒子,
在将所述锆钛酸铅系结晶的(111)的衍射峰值强度设为100的情况下,所述锆钛酸铅系结晶相以外的结晶相的峰值强度相对于所述锆钛酸铅系结晶的(111)的衍射峰值强度为3以下。
2.根据权利要求1所述的压电陶瓷,其特征在于,
所述多个结晶粒子中的所述第1结晶粒子的个数的比率为90%以上。
3.根据权利要求1或2所述的压电陶瓷,其特征在于,
气孔率为0.25%以下。
4.根据权利要求1或2所述的压电陶瓷,其特征在于,
所述多个结晶粒子的平均粒径为1.0~4.0μm。
5.根据权利要求1或2所述的压电陶瓷,其特征在于,
所述压电陶瓷还包含Cu。
6.一种压电陶瓷的制法,其特征在于,具备:
制作含有作为第1成分的Pb、Zr、Ti以及Zn的预烧粉末的工序;
制作将该预烧粉末、和含作为第2成分的Zn以及Bi的氧化物粉末混合的混合粉末的工序;
将该混合粉末成形来制作成形体的工序;和
将该成形体在大气中在900~1050℃下进行烧制的工序,
在所述第2成分形成液相并且压电陶瓷烧结后,使所述第2成分固溶于包含所述第1成分的结晶粒子的表层。
7.根据权利要求6所述的压电陶瓷的制法,其特征在于,
相对于所述预烧粉末100质量%,所述混合粉末包含0.1~2.0质量%的含所述Zn以及Bi的氧化物粉末。
8.一种电子部件,其特征在于,具备:
由权利要求1~5中任一项所述的压电陶瓷构成的压电体;和
电极层。
9.根据权利要求8所述的电子部件,其特征在于,
所述电极层以Ag为主成分。
10.根据权利要求9所述的电子部件,其特征在于,
所述电极层还含有35质量%以下的Pd。
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