[发明专利]微发光二极管的预排除方法、制造方法、装置和电子设备有效
| 申请号： | 201580001244.4 | 申请日： | 2015-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105518877B | 公开（公告）日： | 2018-06-12 |
| 发明（设计）人： | 邹泉波;王喆 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 杨国权;马佑平 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微发光二极管的预排除方法、制造方法、装置和电子设备。该用于预排除缺陷微发光二极管的方法包括：获得激光透明的衬底上的缺陷微发光二极管的缺陷图案；以及按照缺陷图案，从激光透明的衬底侧用激光照射激光透明的衬底，以从激光透明的衬底剥离缺陷微发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 微发光二极管 透明的 激光 衬底 电子设备 缺陷图案 衬底剥离 激光照射 制造 | ||
【主权项】：
一种用于预排除缺陷微发光二极管的方法，包括，在将微发光二极管从激光透明的承载衬底转移到接收衬底之前：获得激光透明的承载衬底上的缺陷微发光二极管的缺陷图案；以及按照缺陷图案，从激光透明的承载衬底侧用激光照射激光透明的衬底，以从激光透明的衬底剥离缺陷微发光二极管；在激光透明的承载衬底上，在所剥离的微发光二极管的位置形成良好的微发光二极管。
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