[发明专利]场效应晶体管、场效应晶体管制造方法和射频器件有效
| 申请号： | 201580000970.4 | 申请日： | 2015-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105308736B | 公开（公告）日： | 2021-10-19 |
| 发明（设计）人： | 坂直树;冈元大作;田中秀树 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336;H01L23/532;H01L29/78;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种场效应晶体管，其包括：栅极电极；半导体层，所述半导体层具有把所述栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；接触插塞，所述接触插塞被设置于所述源极区域和所述漏极区域上；第一金属部，所述第一金属部被堆叠在所述接触插塞上；以及低介电常数区域，所述低介电常数区域在所述半导体层的面内方向上被设置在位于所述第一金属部之间的区域中、且在堆叠方向上至少被设置在位于所述第一金属部的底面下方的第一区域中。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 制造 方法 射频 器件 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其包括：栅极电极；半导体层，所述半导体层具有把所述栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；接触插塞，所述接触插塞分别被设置在所述源极区域和所述漏极区域上；第一金属部，所述第一金属部分别被堆叠在所述接触插塞上；以及低介电常数区域，所述低介电常数区域在所述半导体层的面内方向上被设置在位于所述第一金属部之间的区域中、且在堆叠方向上至少被设置在位于所述第一金属部的底面下方的第一区域中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
