[发明专利]场效应晶体管、场效应晶体管制造方法和射频器件

权利要求书

1.一种场效应晶体管，其包括：

栅极电极；

半导体层，所述半导体层具有把所述栅极电极夹在中间的源极区域和漏极区域；

接触插塞，所述接触插塞分别被设置在所述源极区域和所述漏极区域上；

第一金属部，所述第一金属部分别被堆叠在所述接触插塞上；

低介电常数区域，所述低介电常数区域在所述半导体层的面内方向上被设置在位于所述第一金属部之间的区域中、且在堆叠方向上至少被设置在位于所述第一金属部的底面下方的第一区域中；

至少一层绝缘膜，所述至少一层绝缘膜被设置在所述半导体层上；和

开口，所述开口是从所述至少一层绝缘膜的顶面朝着所述栅极电极的顶面而被开口的，

其中，所述低介电常数区域被设置在所述开口内，

其中，所述至少一层绝缘膜包括：

第一绝缘膜，所述第一绝缘膜覆盖所述栅极电极的表面和所述半导体层的顶面；

第二绝缘膜，所述第二绝缘膜覆盖所述第一绝缘膜的表面；和

第三绝缘膜，所述第三绝缘膜被设置在所述第二绝缘膜的表面与所述第一金属部的底面之间，

而且，所述第二绝缘膜由具有与所述第一绝缘膜的蚀刻速率和所述第三绝缘膜的蚀刻速率不同的蚀刻速率的材料制成，并且

所述开口以贯穿至少所述第三绝缘膜的方式而被开口至所述第二绝缘膜的顶面。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述低介电常数区域在所述堆叠方向上被设置于所述第一区域和位于所述第一金属部的底面与所述第一金属部的顶面之间的第二区域中。

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管，其中，所述低介电常数区域在所述堆叠方向上被设置在所述第一区域、所述第二区域和位于所述第一金属部的顶面上方的第三区域中。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述至少一层绝缘膜包括具有不同蚀刻速率的多个绝缘膜。

5.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中

所述至少一层绝缘膜还包括第四绝缘膜，所述第四绝缘膜覆盖所述第三绝缘膜的顶面和所述第一金属部的表面，并且

所述开口从所述第四绝缘膜的顶面被开口至所述第二绝缘膜的顶面。

6.根据权利要求5所述的场效应晶体管，其中

所述至少一层绝缘膜还包括第五绝缘膜，所述第五绝缘膜位于所述第四绝缘膜上，

所述低介电常数区域包括空气间隙，所述空气间隙被设置于所述开口的至少一部分内，并且

所述空气间隙的顶部被所述第五绝缘膜封闭着。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管，其中，所述开口的侧面和底面被所述第五绝缘膜覆盖着。

8.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述低介电常数区域被设置成使得它的宽度等于或小于所述栅极电极的表面被所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜覆盖着的区域的宽度。

9.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中

所述栅极电极沿着一个方向延伸，并且

所述接触插塞、所述第一金属部和所述低介电常数区域平行于所述栅极电极而延伸。

10.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其还包括：

元件区域，所述源极区域和所述漏极区域是在所述元件区域中被设置在所述半导体层中的；

布线区域，所述布线区域包括多层布线部；和

元件隔离层，所述元件隔离层将所述元件区域与所述布线区域分隔开，

其中，所述低介电常数区域被设置在所述元件区域中。