[实用新型]新型二维高频旋转磁特性传感器件有效
申请号: | 201521125342.2 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN205263287U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 汪友华;王苗;陈龙;张新亮;赵争菡 | 申请(专利权)人: | 河北工业大学 |
主分类号: | G01R33/12 | 分类号: | G01R33/12 |
代理公司: | 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 | 代理人: | 王利文 |
地址: | 300401 天*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种新型二维高频旋转磁特性传感器件,其技术特点是:包括两组磁通密度针探测传感器和两个磁场强度探测线圈,两个磁场强度探测线圈分别紧贴在待测样片中间区域的上下表面且相互垂直,两组磁通密度针探测传感器相互垂直并分别位于待测样片上表面的磁场强度探测线圈两侧,实现同时测量两个相互正交方向上的磁通密度和磁场强度的功能。本实用新型可在不损坏样件的情况下对其磁通密度进行测量,同时采集得到x和y两方向上磁通密度以及磁场强度所对应的感应电压,进而可以分析得到材料的相关磁特性,本实用新型对磁性材料的单片测量,尤其是对高频磁芯材料,例如超微晶、非晶合金、软磁SMC以及铁氧体的磁特性测量具有重要的研究意义。 | ||
搜索关键词: | 新型 二维 高频 旋转 特性 传感 器件 | ||
【主权项】:
一种新型二维高频旋转磁特性传感器件,其特征在于:包括两组磁通密度针探测传感器和两个磁场强度探测线圈,所述两个磁场强度探测线圈分别紧贴在待测样片中间区域的上下表面且相互垂直,所述两组磁通密度针探测传感器相互垂直并分别位于待测样片上表面的磁场强度探测线圈两侧,实现同时测量两个相互正交方向上的磁通密度和磁场强度的功能。
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