[实用新型]新型二维高频旋转磁特性传感器件有效

专利信息
申请号: 201521125342.2 申请日: 2015-12-30
公开(公告)号: CN205263287U 公开(公告)日: 2016-05-25
发明(设计)人: 汪友华;王苗;陈龙;张新亮;赵争菡 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: G01R33/12 分类号: G01R33/12
代理公司: 天津盛理知识产权代理有限公司 12209 代理人: 王利文
地址: 300401 天*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 新型 二维 高频 旋转 特性 传感 器件
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于磁特性测量技术领域,尤其是一种新型二维高频旋转磁特 性传感器件。

背景技术

随着科技的进步和工业的发展,各种电机、变压器及电感器等电磁设备被 广泛应用于电力、通信、交通、国防等各个领域,我国也将高频变压器列为国 网重点研究方向,节能、高效、小型化已成为电磁设备的发展趋势。由于磁芯 结构直接影响了电磁设备的体积与能耗,因此磁芯材料磁特性准确测量与分析 至关重要。超微晶合金材料有饱和磁通密度高、磁导率高、高频损耗低等特点, 是高频工作情况下非常重要的磁性材料之一。

现有技术中的二维磁特性测量传感器通常采用传统的探测线圈方法,已有 的B线圈传感器需要在样件上通过打孔来缠绕十字形探测线圈,打孔使得样片 磁密分布不均,尤其是在局部测量上,这种情况更加严重,导致准确性降低, 使得测量的结果并不能真正反映磁特性。此外,当测量小样件的局部磁特性时, 难以实现打孔功能,极易造成样片整体的损坏(例如超微晶合金样片)。

现有技术中的H线圈传感器是把x线圈垂直交叉的缠绕在y线圈上,但是 该方法造成H传感器中两方向线圈尺寸不一致,并且与样片表面不能紧密贴合 在一起,致使误差变大,测量准确度降低并且增加了高频电容效应的影响。

综上所述,现有技术难以实现对材质脆、易碎、超薄、不易加工的磁性材 料制成的单片磁性样片进行准确、可靠的测量功能。

发明内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足,提供一种新型二维高频旋转 磁特性传感器件,解决了对材质脆、易碎、超薄、不易加工等单片磁性样片的 准确且安全可靠的测量问题。

本实用新型解决其技术问题是采取以下技术方案实现的:

一种新型二维高频旋转磁特性传感器件,包括两组磁通密度针探测传感器 和两个磁场强度探测线圈,所述两个磁场强度探测线圈分别紧贴在待测样片中 间区域的上下表面且相互垂直,所述两组磁通密度针探测传感器相互垂直并分 别位于待测样片上表面的磁场强度探测线圈两侧,实现同时测量两个相互正交 方向上的磁通密度和磁场强度的功能。

而且,每组磁通密度针探测传感器均由二个传感器管套、二个传感器连接 弹簧、二个传感器探针及传感器连接漆包铜线构成;传感器探针安装在传感器 管套内,其上部与传感器连接弹簧相连接,传感器管套端口处通过传感器连接 漆包铜线将两个传感器套管连接在一起。

而且,所述传感器探针采用铜材质制成,传感器探针的端部为尖头结构。

而且,所述传感器连接漆包铜线两端采用双绞方式绕制而成。

而且,所述磁场强度探测线圈由线圈绝缘骨架和线圈缠绕漆包铜线构成, 所述线圈缠绕漆包铜线均匀单层密绕在线圈绝缘骨架上。

而且,所述线圈绝缘骨架为非导磁材料制成的板型绝缘骨架。

而且,所述线圈缠绕漆包铜线两端采用双绞方式绕制而成。

本实用新型的优点和积极效果是:

1、本实用新型采用两组磁通密度针探测传感器和两个磁场强度探测线圈, 无需在样片中间部分打孔来缠绕线圈,在不损坏待测样片的情况下,便可能够 实现单片磁性样片的磁通密度和磁场强度的测量功能,属于无损测量技术,克 服了传统磁通密度探测线圈方法中样片打孔而损坏样片的缺陷,尤其适用于非 晶、超微晶、软磁SMC和铁氧体等待测样片的测量。

2、本实用新型采用传感器进线端与出线端漆包线双绞方式来绕制,可有效 消除线圈中的干扰,提高传感线圈测量精度;同时采用两个独立的磁场强度探 测线圈分别紧贴样片上下表面彼此垂直放置,提高了线圈测量精度。

3、本实用新型以超微晶合金样片为例作为二维高频旋转磁特性传感器件的 研究对象,可以用于测量超微晶合金等软磁材料的旋转磁特性,为建立超微晶 磁特性数据库,更好地应用于工程实际中打下坚实的基础,为电磁设备的优化 设计提供重要依据,同时也对建立超微晶合金材料的高频磁特性测量标准具有 积极的促进作用。

附图说明

图1为本实用新型的立体结构示意图;

图2为本实用新型的主视图;

图3a为磁通密度针探测传感器Bx的结构示意图;

图3b为磁通密度针探测传感器By的结构示意图;

图4a为磁场强度探测线圈Hx的结构示意图;

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