[实用新型]一种多只MOSFET并联均流结构的PCB板设计

摘要

本实用新型涉及PCB布板结构技术领域，尤其涉及一种多只MOSFET并联均流结构的PCB板设计，本实用新型采用了特殊的PCB布板结构技术设计，解决了传统并联多只MOSFET电流不均流、易对MOSFET造成损害，破坏电路结构的技术问题，达到了保证并联电流均流，对MOSFET管起到保护作用的技术效果；采用多只MOSFET并联的技术结构，解决了单只MOSFET的电流远远不能满足驱动器的技术问题，达到了并联MOSFET满足了大功率电机驱动器的要求的技术效果。

主权项

一种多只MOSFET并联均流结构的PCB板设计，其特征在于：包括铝基板(1)、并联MOSFET单元(2)；并联MOSFET单元(2)焊接在铝基板(1)上，并联MOSFET单元(2)包括单元A(21)、单元B(22)、单元C(23)、单元D(24)、单元E(25)和单元F(26)；单元A(21)、单元B(22)、单元C(23)、单元D(24)、单元E(25)和单元F(26)从左到右依次焊接在铝基板(1)上；单元A(21)的栅极连接有控制模块A(31)，单元A(21)的漏极连接有铜环A(41)，铜环A(41)焊接在单元A(21)的下侧；单元A(21)的源极一端与单元B(22)的漏极连接，单元B(22)的漏极连接有铜环B(42)，铜环B(42)焊接在单元B(22)的上侧，单元B(22)的栅极连接控制模块A(31)；控制模块A(31)焊接在铜环B(42)上侧；单元B(22)源极的另一端连接有铜环C(43)，铜环C(3)焊接在单元B(22)和单元C(23)之间；单元C(23)的栅极连接有控制模块B(32)，单元C(23)的漏极连接有铜环D(44)，铜环D(44)焊接在单元C(23)的下侧；单元C(23)的源极一端与单元D(24)的漏极连接，单元D(24)的漏极连接有铜环E(45)，铜环E(45)焊接在单元D(24)的上侧，单元D(24)的栅极连接控制模块B(32)；控制模块B(32)焊接在铜环E(45)上侧；单元D(24)源极的另一端连接有铜环F(46)，铜环F(46)焊接在单元D(24)和单元E(25)之间；单元E(25)的栅极连接有控制模块C(33)，单元E(25)的漏极连接有铜环G(47)，铜环G(47)焊接在单元E(25)的下侧；单元E(25)的源极一端与单元F(26)的漏极连接，单元F(26)的漏极连接有铜环H(48)，铜环H(48)焊接在单元F(26)的上侧；单元F(26)的栅极连接控制模块C(33)；控制模块C(33)焊接在铜环H(48)上侧。单元F(26)源极的另一端连接有铜环I(49)，铜环I(49)焊接在单元F(26)的右侧。