[实用新型]一种多只MOSFET并联均流结构的PCB板设计

说明书

技术领域

本实用新型涉及PCB布板结构技术领域，尤其涉及一种多只MOSFET并联均 流结构的PCB板设计。

背景技术

本方案涉及一种新型的多只MOSFET并联电流均衡结构。主要应用于微型 电动车电机驱动器，随着国家新能源产业的发展，电动车行业也得到了巨大的 发展，尤其是电动车驱动技术，电机驱动器主要采用IGBT或者MOSFET作主要 功率器件，而IGBT目前市场价格高昂，MOSFET价格比较低廉，但随电机驱动器 功率的增加，单只MOSFET的电流远远不能满足驱动器的要求，多只MOSFET并 联得到大量的采用。

多只MOSFET并联虽然满足了大功率电机驱动器的要求，但多只MOSFET并 联电流均流也尤为重要，虽然MOSFET受温度影响，也有一定的自举均流能力， 但电路结构的设计对MOSFET均流也至关主要。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题，是针对上述存在的技术不足，提供了一 种多只MOSFET并联均流结构的PCB板设计，采用了特殊的PCB布板结构技术设 计，解决了传统并联多只MOSFET电流不均流、易对MOSFET造成损害，破坏电 路结构的技术问题，达到了保证并联电流均流，对MOSFET管起到保护作用的技 术效果；采用多只MOSFET并联的技术结构，解决了单只MOSFET的电流远远不 能满足驱动器的技术问题，达到了并联MOSFET满足了大功率电机驱动器的要求 的技术效果。

为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是：包括铝基板、并 联MOSFET单元；并联MOSFET单元焊接在铝基板上，并联MOSFET单元包括单元 A、单元B、单元C、单元D、单元E和单元F；单元A、单元B、单元C、单元D、 单元E和单元F从左到右依次焊接在铝基板上；

单元A的栅极连接有控制模块A，单元A的漏极连接有铜环A，铜环A焊接 在单元A的下侧；单元A的源极一端与单元B的漏极连接，单元B的漏极连接 有铜环B，铜环B焊接在单元B的上侧，单元B的栅极连接控制模块A；控制模 块A焊接在铜环B上侧；单元B源极连接有铜环C，铜环C焊接在单元B和单元 C之间；

单元C的栅极连接有控制模块B，单元C的漏极连接有铜环D，铜环D焊接 在单元C的下侧；单元C的源极一端与单元D的漏极连接，单元D的漏极连接 有铜环E，铜环E焊接在单元D的上侧，单元D的栅极连接控制模块B；控制模 块B焊接在铜环E上侧；单元D源极连接有铜环F，铜环F焊接在单元D和单元 E之间；

单元E的栅极连接有控制模块C，单元E的漏极连接有铜环G，铜环G焊接 在单元E的下侧；单元E的源极一端与单元F的漏极连接，单元F的漏极连接 有铜环H，铜环H焊接在单元F的上侧；单元F的栅极连接控制模块C；控制模 块C焊接在铜环H上侧；单元F源极的另一端连接有铜环I，铜环I焊接在单元 F的右侧；

进一步优化本技术方案，所述的单元A、单元B、单元C、单元D、单元E 和单元F分别为六只MOSFET并联；

进一步优化本技术方案，所述的铜环A、铜环D和铜环G连接电源正极，铜 环B、铜环E和铜环H外接有电机；铜环C、铜环F和铜环I连接电源负极；

与现有技术相比，本实用新型具有以下优点：1、通过新型的PCB布板结构， 解决多只MOSFET并联因结构而造成的电流均流问题；2、多只MOSFET并联满足 了大功率电机驱动器的要求；3、本PCB布板结构制作简单、方便，易应用于实 际生活中。

附图说明

图1是本实用新型PCB结构图；

图2是本实用新型工作原理图。

图中，1、铝基板；2、并联MOSFET单元；21、单元A；22、单元B；23单 元C；24、单元D；25、单元E；26、单元F；31、控制模块A；32、控制模块B； 33、控制模块C；41、铜环A；42、铜环B；43、铜环C；44、铜环D；45、铜环 E；46、铜环F；47、铜环G；48、铜环H；49、铜环I；5、电机。

具体实施方式