[实用新型]导电插塞电阻测量结构有效
| 申请号： | 201521080776.5 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN205231023U | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 冯军宏;甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 300385 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种导电插塞电阻测量结构，包括：多个有源区；形成于每个有源区中的源极和漏极；形成于至少部分有源区上的栅极；绝缘隔离的第一金属互连线层和第二金属互连线层；绝缘隔离的第一导电插塞和第二导电插塞。将所述第一金属互连线层的任一端接地，另一端加电压，测量所述第一导电通路中的电流，即可获取所述第一导电通路中所有第一导电插塞的电阻阻值，再根据第一导电通路中第一导电插塞的个数，即可计算出每个第一导电插塞的电阻，进而推算出器件中第一导电插塞的电阻阻值。将所述第一导电通路的任一端接地，另一端加电压，检测所述第二导电通路中的电流，并根据该电流判断所述栅极和所述第一导电插塞之间是否出现漏电。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 电阻 测量 结构 | ||
【主权项】：
一种导电插塞电阻测量结构，其特征在于，包括：形成于半导体衬底中的多个有源区；形成于每个有源区中的源极和漏极；形成于至少部分所述有源区上的栅极；绝缘隔离的第一金属互连线层和第二金属互连线层；绝缘隔离的第一导电插塞和第二导电插塞；其中，所述第一金属互连线层分为多段，相邻的有源区中的源极和漏极分别通过所述第一导电插塞与所述第一金属互连线层的同一段电连接形成一第一导电通路，所有栅极分别通过所述第二导电插塞与所述第二金属互连线层电连接形成一第二导电通路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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