[实用新型]导电插塞电阻测量结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其是一种导电插塞电阻测量结构。

背景技术

半导体工艺制程中需要导电插塞(contactplug)作为器件的引出之用，比如， 在MOS晶体管的栅极、源极、漏极与金属互连线之间以及不同层的金属互连线 之间均需要形成导电插塞，其中，源极和漏极形成于有源区(activearea，AA) 中，栅极形成于有源区上，通常采用多晶硅(poly)形成所述栅极，源极、漏极 则是通过掺杂工艺形成，栅极、源极、漏极各自通过导电插塞与最底层的金属 互连线电连接，相邻层的金属互连线则是通过位于其间的导电插塞电连接，因 而导电插塞的电阻影响器件的电学性能，需要监控导电插塞的电阻。

具体如图1所示，传统的导电插塞电阻的测量结构通常形成于切割道上， 其包括n个有源区100、2n个导电插塞101、金属互连线层102、第一金属引出 焊垫103和第二金属引出焊垫104，有源区100中形成有源极和漏极，金属互连 层102包括若干段，相邻的有源区100内的源极和漏极各自通过插塞101与金 属互连线层102的同一段连接。当要测量导电插塞101的电阻时，通常通过所 述第一金属引出焊垫103和第二金属引出焊垫104施加电压U，电流流经金属 互连线层102、导电插塞101和有源区100形成电流通路，测量该电流通路的电 流I，通过公式R＝U/I，即可得出该电流通路的电阻值R。由于第一金属引出焊 垫103和第二金属引出焊垫104的电阻值较低，通常测量工序中将其忽略不计， 图1所示测量结构中共包含2n个导电插塞101，因而，测试结构中单个导电插 塞101的电阻值Rc＝R/2n，从而可以推算出与该导电插塞电阻的测量结构对应的 半导体器件中导电插塞的电阻值也为Rc。

但是，发明人发现，这种测量结构，只能测量导电插塞101的电阻，但是 无法测试导电插塞101和栅极之间是否存在漏电，即无法测试导电插塞101和 栅极之间的稳定性。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种导电插塞电阻测量结构，不仅能测量导电 插塞的电阻，同时还可以测试栅极和导电插塞之间是否存在漏电。

为了达到上述目的，本实用新型提供了一种导电插塞电阻测量结构，包括；

形成于半导体衬底中的多个有源区；

形成于每个有源区中的源极和漏极；

形成于至少部分所述有源区上的栅极；

绝缘隔离的第一金属互连线层和第二金属互连线层；

绝缘隔离的第一导电插塞和第二导电插塞；

其中，所述第一金属互连线层分为多段，相邻的有源区中的源极和漏极分 别通过所述第一导电插塞与所述第一金属互连线层的同一段电连接形成一第一 导电通路，所有栅极分别通过所述第二导电插塞与所述第二金属互连线层电连 接形成一第二导电通路。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，所述有源区为条形有源区。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，所述栅极的长度小于所述有 源区的宽度。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，所述栅极的长度等于所述有 源区的宽度。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，所述栅极的长度大于所述有 源区的宽度。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，所述栅极的材质是多晶硅。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，每两个相邻的栅极之间至少 间隔一个所述有源区。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，所述多个有源区排列成多行 多列。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，所述多个有源区排列成一行 多列或一列多行。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，所述导电插塞电阻测量结构 形成于所述半导体衬底的划片道上。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，所述第一金属互连线层和第 二金属互连线层通过一绝缘层相互绝缘隔离。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，所述第一导电插塞和第二导 电插塞通过一绝缘层相互绝缘隔离。

优选的，在上述的导电插塞电阻测量结构中，所述多个有源区通过浅沟槽 隔离结构相互绝缘隔离。