[实用新型]一种太阳电池有效
申请号: | 201521058912.0 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN205264726U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 黄忠 | 申请(专利权)人: | 四川钟顺太阳能开发有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/18 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 刘凯 |
地址: | 610207 四川省成都市双流*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种太阳电池,包括由P型基体和N型层构成的太阳电池片,所述P型基体和N型层之间形成PN结,在所述N型层上表面设置有氮氧化硅减反层,经过腐蚀切割后的太阳电池断面由刻蚀断面和裂片断面组成,所述刻蚀断面的深度超过太阳电池的N型层,在所述刻蚀断面表面设置有一层氧化保护层,所述氧化保护层覆盖PN结及其附近区域。本实用新型采用化学腐蚀的方式对太阳电池进行腐蚀切割,这样所形成的条状太阳电池边缘没有金刚石或激光切割所造成的机械应力和热应力缺陷,同时在刻蚀的断面设置有氧化保护层,从而利用氧化保护层能很好地对PN结以及其附近的区域起到钝化作用以及隔断周围的杂质和污染物对断面的影响,有效保证太阳电池的效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 | ||
【主权项】:
一种太阳电池,包括由P型基体(1)和N型层(2)构成的太阳电池片,所述P型基体(1)和N型层(2)之间形成PN结,在所述N型层(2)上表面设置有氮氧化硅减反层(3),其特征在于:经过腐蚀切割后的太阳电池断面由刻蚀断面(4)和裂片断面(5)组成,所述刻蚀断面(4)的深度超过太阳电池的N型层(2),在所述刻蚀断面(4)表面设置有一层氧化保护层(6),所述氧化保护层(6)覆盖PN结及其附近区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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