[实用新型]一种太阳电池

说明书

技术领域

本实用新型属于太阳能利用技术领域，特别涉及一种太阳电池。

背景技术

太阳能具有清洁、无资源地域限制、对人类来说永无枯竭等优良特性，越来越受到人们的青睐。利用太阳能进行发电的光伏组件技术种类较多，而聚光组件技术无疑是最具市场前景的技术之一。聚光组件技术中又分为高倍聚光（聚光倍数大于300倍）组件技术、中倍聚光组件技术和低倍聚光（聚光倍数小于100倍）组件技术。其中低倍聚光组件技术所使用的太阳电池一般为晶硅太阳电池，且其尺寸大小和形状均因不同的组件设计而有所不同，如线聚光组件所使用的太阳电池为条状，尺寸大小约几毫米宽的条状。这种技术利用具有聚光结构的光学面板来有效减少普通光伏组件的电池片用量，从而降低光伏组件生产成本。

但是目前为止，还没有为线性聚光组件技术专门生产的条状太阳电池，因此线性聚光组件所需的条状太阳电池均是通过对普通的晶硅太阳电池用金刚石或激光进行切割来获取。但是由于对普通晶硅太阳电池进行切割使得一方面太阳电池的切割边缘处，特别是PN结附近以及受光面边缘处的Si出现了键的断裂，形成了许多悬挂键，从而使得由光电效应产生的光生载流子很容易在边缘处形成复合；另一方面由于切割使得边缘处产生了应力或热缺陷，以及边缘暴露在空气中被污染也很容易使得边缘处成为载流子严重的复合区域，降低了太阳电池的各项电性能参数。以上两点的原因使得切割成条状的太阳电池相比未切割前的普通太阳电池效率下降较大，从而使得线性聚光组件的效率降低，发电成本同普通平板组件相比并没有太大的优势。

实用新型内容

本实用新型的发明目的在于：针对上述存在的问题，提供一种能够有效降低太阳电池切割后的效率损失，同时易于大规模生产的太阳电池。

本实用新型的技术方案是这样实现的：一种太阳电池，包括由P型基体和N型层构成的太阳电池片，所述P型基体和N型层之间形成PN结，在所述N型层上表面设置有氮氧化硅减反层，其特征在于：经过腐蚀切割后的太阳电池断面由刻蚀断面和裂片断面组成，所述刻蚀断面的深度超过太阳电池的N型层，在所述刻蚀断面表面设置有一层氧化保护层，所述氧化保护层覆盖PN结及其附近区域。

本实用新型所述的太阳电池，其所述氧化保护层的厚度为0.2～0.5微米。

本实用新型所述的太阳电池，其所述刻蚀断面的深度为20～80微米。

本实用新型所述的太阳电池，其所述刻蚀断面对应的太阳电池在设置氧化保护层后的宽度L1不大于裂片断面对应的太阳电池宽度L2。

本实用新型采用化学腐蚀的方式对太阳电池进行腐蚀切割，这样所形成的条状太阳电池边缘没有金刚石或激光切割所造成的机械应力和热应力缺陷，同时在刻蚀的断面设置有氧化保护层，从而利用氧化保护层能很好地对PN结以及其附近的区域起到钝化作用以及隔断周围的杂质和污染物对断面的影响，从而有效保证太阳电池的效率。

附图说明

图1是常规太阳电池片的结构示意图。

图2是本实用新型的结构示意图。

图3是制作本实用新型过程中涂抹正性光刻胶后的结构示意图。

图4是制作本实用新型过程中设置光刻掩膜板进行紫外曝光的结构示意图。

图5是制作本实用新型过程中显影后的太阳电池结构示意图。

图6是制作本实用新型过程中刻蚀后的太阳电池结构示意图。

图7是制作本实用新型过程中湿氧氧化刻蚀断面后的太阳电池结构示意图。

图8是制作本实用新型过程中经过裂片后的太阳电池结构示意图。

图中标记：1为P型基体，2为N型层，3为氮氧化硅减反层，4为刻蚀断面，5为裂片断面，6为氧化保护层，7为正性光刻胶，8为光刻掩膜板，9为曝光间隙，10为刻蚀沟槽。

具体实施方式

下面结合附图，对本实用新型作详细的说明。

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。