[实用新型]一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路有效
| 申请号： | 201520987165.2 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN205140523U | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 马继荣;唐明;于海霞 | 申请（专利权）人： | 北京同方微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市海淀区五*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路；该自检测电路包括NVM存储电路、NVM影子存储电路、读取电路、影子读取电路，在NVM存储电路和读取电路工作的同时，使得影子NVM存储电路和影子读取电路也工作，并依照影子读取电路读出数据的正确与否，检测读取的NVM数据是否可靠有效；当影子读取电路读出数据正确时，检测读取的NVM数据可靠有效；当影子读取电路读出数据有错误时，检测读取的NVM数据无效；该自检测电路能够实时、有效检测读取数据的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 挥发 存储器 读取 可靠性 检测 电路 | ||
【主权项】：
一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路，其特征在于，该自检测电路包括NVM存储电路、NVM影子存储电路、读取电路、影子读取电路， NVM存储电路配置一个NVM影子存储电路，读取电路配置一个影子读取电路，读取电路读出NVM存储电路出错时，影子读取电路出错。
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