[实用新型]一种非挥发存储器读取可靠性的自检测电路

说明书

技术领域

本发明涉及非挥发存储器领域，尤其是非挥发存储器读取可靠性的检测电路。

背景技术

非挥发存储器(Non-VolatileMemory，简称为NVM存储器)中存储的数据为NVM数据，可以电擦除、写入，且具有掉电仍能长时间保持数据的特点，在目前智能卡芯片等领域获得广泛的应用；一般在NVM中会存储芯片识别号、系统程序等重要信息，一旦读取NVM中的数据发生错误，整个芯片的功能便会异常，发生诸如程序“死机”等错误，因而检测NVM数据是否处于可靠读取状态显得至关重要。

典型的NVM数据读取可靠性的检测电路，在读取正常NVM数据前“预读”一段固定的数据，例如读一段循环码(CRC)数据来校验，“预读”通过了便认为NVM数据电路处于可靠的工作状态下，然后再进行正常的读取NVM数据操作；该检测电路对于稳定工作环境的NVM芯片，如电源电压稳定、没有强光干扰，具有很好的检测效果，但是对于工作环境不稳定的环境，如电源电压波动、周围强电磁场干扰，“预读”通过并不能保证接下来读取可靠性。

基于“预读”检测电路的缺陷，在NVM芯片内部或者使用NVM芯片的系统中引入了很多的自检测电路，这些自检测电路由多种传感器来实现，如电源毛刺传感器电路、温度传感器电路、光传感器电路等，这些电路始终伴随着NVM芯片的工作而同步工作，一旦检测芯片的电源、温度、光等环境处于异常，报警给系统处理电路，报警后读取NVM数据直接被抛弃，从而达到了保护芯片的作用；传感器电路能够实时的检测并报警芯片的异常工作环境，对于检测NVM的读取可靠性具有较好的检测作用；但是，一方面传感器电路不能保证覆盖所有的芯片异常工作环境，在某些考虑不到的异常环境下，NVM电路仍会有读出错的概率；另一方面，传感器电路检测到芯片处于的异常工作环境，并不一定NVM电路会发生读出错，即会一定程度上牺牲NVM读性能。

实用新型内容

为了克服现有非挥发存储器NVM读取可靠性检测电路的不足，本实用新型提出了一种非挥发存储器读取可靠性自检测电路，该自检测电路不但可以实时检测读取数据的可靠性，而且可以直接有效判断读取的数据是否有出错。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是，一种非挥发存储器读取可靠性自检测电路，该自检测电路包括NVM存储电路、NVM影子存储电路、读取电路、影子读取电路，NVM存储电路配置一个NVM影子存储电路，读取电路配置一个影子读取电路，读取电路读出NVM存储电路出错时，影子读取电路出错。

所述NVM存储电路配置一个NVM影子存储电路，是指NVM影子存储电路经配置将NVM存储电路的多个位置的映像存储在NVM影子存储电路的对应多个位置，致使NVM影子存储电路与NVM存储电路的器件结构和原理完全相同；而所述读取电路配置一个影子读取电路，是指影子读取电路经配置将读取电路的多个位置的映像存储在影子读取电路的对应多个位置，致使影子读取电路与读取电路的器件结构和原理完全相同。

优选地，所述影子读取电路读出错时，判断读取电路的存储电路为不可靠状态，所述影子读取电路读正确时，判断读取电路的存储电路为可靠状态。

本实用新型的有益效果是，实时检测读取数据的可靠性，可以直接有效判断读取数据是否有出错。

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型做进一步说明。

附图说明

图1是本实用新型的自检测电路原理图。

图2是本实用新型的一个具体实施例自检测电路示意图。

具体实施方式