[实用新型]一种金属陶瓷双列直插封装二极管阵列板有效
| 申请号： | 201520957290.9 | 申请日： | 2015-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN205122563U | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 吴炳刚;梁书靖;孟丽君;刘鸿波 | 申请（专利权）人： | 沈阳飞达电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/528;H01L23/043;H01L23/49 |
| 代理公司： | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人： | 侯蔚寰 |
| 地址： | 110032 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种金属陶瓷双列直插封装二极管阵列板，所述阵列板包括基板以及形成在基板上的第一导电层；第一导电层上的第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上的半导体层；至少部分形成在该半导体层上且包括相互隔开的数据线和漏极电极的第二导电层，该第二导电层包括阻挡金属构成的下部膜和Al或Al合金构成的上部膜；覆盖该半导体层的钝化层；以及形成在该第二导电层之上并与第二导电层接触的第三导电层，其中，至少该上部膜的一边缘位于下部膜上，使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分，且第三导电层接触下部膜的该第一部分；上部膜的边缘横贯下部膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属陶瓷 双列直插 封装 二极管 阵列 | ||
【主权项】：
一种金属陶瓷双列直插封装二极管阵列板，其特征在于：所述阵列板包括基板以及形成在基板上的第一导电层；第一导电层上的第一栅极绝缘层；第一栅极绝缘层上的半导体层；至少部分形成在该半导体层上且包括相互隔开的数据线和漏极电极的第二导电层，该第二导电层包括阻挡金属构成的下部膜和Al或Al合金构成的上部膜；覆盖该半导体层的钝化层；以及形成在该第二导电层之上并与第二导电层接触的第三导电层，其中，至少该上部膜的一边缘位于下部膜上，使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分，且第三导电层接触下部膜的该第一部分；上部膜的边缘横贯下部膜；钝化层具有至少部分露出下部膜的该第一部分的接触孔；第三导电层的至少一部分位于钝化层上；以及上部膜的该至少一边缘不与接触孔的边界重合；钝化层接触接触孔附近的下部膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于沈阳飞达电子有限公司，未经沈阳飞达电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520957290.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种可控硅水冷散热器
- 下一篇：一种带有加强结构的芯片嵌入式封装结构
