[实用新型]一种金属陶瓷双列直插封装二极管阵列板有效
| 申请号: | 201520957290.9 | 申请日: | 2015-11-26 |
| 公开(公告)号: | CN205122563U | 公开(公告)日: | 2016-03-30 |
| 发明(设计)人: | 吴炳刚;梁书靖;孟丽君;刘鸿波 | 申请(专利权)人: | 沈阳飞达电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/528;H01L23/043;H01L23/49 |
| 代理公司: | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人: | 侯蔚寰 |
| 地址: | 110032 辽宁*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 金属陶瓷 双列直插 封装 二极管 阵列 | ||
1.一种金属陶瓷双列直插封装二极管阵列板,其特征在于:所述阵列板包括基板以及形成在基板上的第一导电层;第一导电层上的第一栅极绝缘层;第一栅极绝缘层上的半导体层;至少部分形成在该半导体层上且包括相互隔开的数据线和漏极电极的第二导电层,该第二导电层包括阻挡金属构成的下部膜和Al或Al合金构成的上部膜;覆盖该半导体层的钝化层;以及形成在该第二导电层之上并与第二导电层接触的第三导电层,其中,至少该上部膜的一边缘位于下部膜上,使得下部膜包括露在上部膜外的第一部分,且第三导电层接触下部膜的该第一部分;上部膜的边缘横贯下部膜;钝化层具有至少部分露出下部膜的该第一部分的接触孔;第三导电层的至少一部分位于钝化层上;以及上部膜的该至少一边缘不与接触孔的边界重合;钝化层接触接触孔附近的下部膜。
2.根据权利要求1所述的二极管阵列板,其特征在于:所述阵列板还包括设置在基板上的数据线;所述数据线与第一栅极线相交,所述第一栅极线包括栅电极;所述第一栅极绝缘层,设置在栅极线上并具有暴露所述数据线的接触孔;所述钝化层设置在半导体层上;进一步包括设置在所述半导体层和所述钝化层之间的绝缘体层;还包括层间绝缘层,该层间绝缘层设置在数据线和栅极线之间;第三导电层包括接触漏极电极的像素电极;钝化层具有用于漏极电极与像素电极之间的接触的第一接触孔、露出第一导电层的一部分的第二接触孔、以及露出数据线的一部分的第三接触孔,并且第三导电层包括通过第二接触孔接触第一导电层的第一接触辅助部分、以及通过第三接触孔接触数据线的第二接触辅助部分;第二导电层的第一部分不平坦。
3.根据权利要求1所述的阵列板,其特征在于:所述阵列板还包括双列直插陶瓷外壳,包括壳体和设置于壳体外侧的两列引脚,壳体内部开设有四个腔体,每个腔体内的底部设置有金属化层,金属化层上方设置有管座,管座上方设有盖板,所述管座通过管座封接环与盖板连接;所述引脚呈双列排布,每列均有八个引脚;所述引脚呈Z字形,引脚底部斜向设置有绝缘加强筋;引脚外侧镀有镍钯金合金镀层;所述金属化层包括镀镍层和镀金层;所述镀镍层的厚度为9.5μm,镀金层的厚度为1μm;所述壳体由黑色氧化铝陶瓷制成。
4.根据权利要求1所述的阵列板,其特征在于:所述基板由碳、碳化硅、氮化硅、氧化铝和硅复合而成,所述基板由外而内共有5层,分别是硅层、氮化硅层、碳化硅层、碳层和氧化铝基体层,每层的厚度为0.5-3mm。
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