[实用新型]一种宽占空比的MOSFET隔离驱动电路有效
| 申请号: | 201520940464.0 | 申请日: | 2015-11-20 |
| 公开(公告)号: | CN205283380U | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
| 发明(设计)人: | 赵敏;王骞;张东来;王超;陈红 | 申请(专利权)人: | 深圳市航天新源科技有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/088 | 分类号: | H02M1/088 |
| 代理公司: | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人: | 孙伟 |
| 地址: | 518000 广东省深圳市南山区科*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本实用新型提出了一种宽占空比的MOSFET隔离驱动电路,包括第一边沿捕获电路、第二边沿捕获电路,通过对PWM信号的上升沿和下降沿分别捕获后形成边沿脉冲信号,经由驱动芯片输入到变压器的原边,在变压器副边对输出的脉冲经过整形后最终复原成有正负电压输出的PWM驱动波形,实现对MOSFET的驱动。由于是在PWM的边沿时候瞬间传递信号和能量,本实用新型的隔离输出宽占空比范围宽,可达0~99.5%;由于原边的脉冲产生方式与传统的电容-变压器组合驱动方式不同,不存在自激频率问题,在输入占空比突变时,输出能正确跟随,无低电平上扬现象,不会导致开关管短时直通,发生烧毁。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 宽占空 mosfet 隔离 驱动 电路 | ||
【主权项】:
一种宽占空比的MOSFET隔离驱动电路,包括第一边沿捕获电路、第二边沿捕获电路、第一驱动电路、第二驱动电路、变压器和PWM副边输出电路;PWM信号经由第三非门连接第一边沿捕获电路,第一边沿捕获电路连接驱动电路,第一驱动电路的输出端连接变压器原边的一端;所述PWM信号连接第二边沿捕获电路,第二边沿捕获电路连接驱动电路,第二驱动电路的输出端连接变压器原边的另一端;捕获到的信号经过所述驱动电路后形成带功率的脉冲信号驱动变压器,以实现在传递脉冲沿信号的同时将驱动能量传输到所述副边输出电路;所述副边输出电路的输出为还原后的PWM信号,用于驱动MOSFET管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市航天新源科技有限公司,未经深圳市航天新源科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520940464.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:菠萝瓜刨
- 下一篇:一种改进结构的发光托盘
- 同类专利
- 专利分类
H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





