[实用新型]一种宽占空比的MOSFET隔离驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种MOSFET隔离驱动电路，尤其涉及一种宽占空比 的MOSFET隔离驱动电路。

背景技术

MOSFET隔离驱动电路广泛地应用电源系统中，隔离驱动的性能好坏 直接影响电源输出的品质，对于MOSFET的隔离驱动电路，目前，主要采 用的有光耦隔离和磁耦隔离的方式，由于光耦只能实现信号的传输，需要 在隔离副边增加一个辅助源电路，隔离驱动电路相对较为复杂，而传统的 磁耦隔离驱动在占空比突变时，存在低电平上扬问题，从而导致MOSFET 误触发，严重影响电源的性能指标，甚至导致功率MOSFET烧毁，随着电 源技术的发展，开关电源的输入范围、带载能力的提高，负载切换或者输 入电压跳变时，占空比会出现瞬变，传统磁耦隔离驱动将不能正常工作， 因此，开发一种可靠隔离驱动电路十分必要。

实用新型内容

为了解决现有技术中的问题，本实用新型提出了一种宽占空比的 MOSFET隔离驱动电路，其目的是提高隔离驱动的可靠性，及在占空比突 变时，隔离输出的低电平无上扬现象。

本实用新型通过以下技术方案实现：

一种宽占空比的MOSFET隔离驱动电路，包括第一边沿捕获电路、第 二边沿捕获电路、第一驱动电路、第二驱动电路、变压器和PWM副边输出 电路；PWM信号经由第三非门连接第一边沿捕获电路，第一边沿捕获电路 连接驱动电路，第一驱动电路的输出端连接变压器原边的一端；所述PWM 信号连接第二边沿捕获电路，第二边沿捕获电路连接驱动电路，第二驱动 电路的输出端连接变压器原边的另一端；捕获到的信号经过所述驱动电路 后形成带功率的脉冲信号驱动变压器，以实现在传递脉冲沿信号的同时将 驱动能量传输到所述副边输出电路；所述副边输出电路的输出为还原后的 PWM信号，用于驱动MOSFET管。

作为本实用新型的进一步改进，所述边沿捕获电路为RC微分电路，微 分电路的输入接电容C的一端，微分电路的输出接电容C的另一端，电阻 R的一端接微分电路的输出，电阻R的另一端接地。

作为本实用新型的进一步改进，所述变压器的副边为N个PWM副边 输出电路，可同时输出N路MOSFET驱动信号，实现N个MOSFET的隔 离驱动。

作为本实用新型的进一步改进，所述MOSFET隔离驱动电路还包括脉 宽拓展电路，所述脉宽拓展电路包括第一非门、第一二极管D₁、第二非门、 电阻R₁、电容C₁；其中，PMW信号经由第一非门与第一二极管D₁的负极 相连，第一二极管D₁的正极与第二非门U1B相连，第二非门的输出即为脉 宽拓展电路的输出；电阻R₁的一端连接电压V_CC，R₁的另一端与第一二极 管D₁的正极相连；电容C₁的一端接地，C₁的另一端与第一二极管D₁的正 极相连。

作为本实用新型的进一步改进，所述副边输出电路包括第一开关管Q₁、 第二开关管Q₂；Q₁的源极接变压器副边的一端，Q₁的栅极接变压器副边的 另一端，Q₁的漏极接Q₂的栅极，Q₂的源极接Q₁的栅极，Q₁的漏极和Q₂ 的漏极作为副边输出电路的输出端。

作为本实用新型的进一步改进，在所述脉宽拓展电路与第二边沿捕获 电路之间还有第三非门。