[实用新型]防反灌保护电路有效

专利信息
申请号: 201520922621.5 申请日: 2015-11-18
公开(公告)号: CN205141658U 公开(公告)日: 2016-04-06
发明(设计)人: 李绍飞;宋昌林;陈方春 申请(专利权)人: 四川汇源光通信有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 冯倩
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 实用新型提供了一种防反灌保护电路,其电性连接于一输入电路和一输出电路之间。该防反灌保护电路包括:参考电压提供电路,电压比较电路及防反灌电路。电压比较电路包括电流检测电阻。参考电压提供电路的输出端与电压比较电路的第一输入端连接,输入电路的负极经由电流检测电阻与输出电路负极连接,电流检测电阻上形成回馈电压作用于电压比较电路的第二输入端。防反灌电路包括一P沟道MOSFET。电压比较电路通过对参考电压及回馈电压比较,通过电压比较电路的输出端控制P沟道MOSFET工作状态,防止反灌电流从输出电路进入输入电路。解决现有技术采用二极管实现防反灌时功耗大及散热多的技术问题。
搜索关键词: 防反 保护 电路
【主权项】:
一种防反灌保护电路,其电性连接于一输入电路和一输出电路之间,其特征在于,该防反灌保护电路包括:参考电压提供电路、电压比较电路及防反灌电路,所述电压比较电路包括电流检测电阻,所述参考电压提供电路的输出端与所述电压比较电路的第一输入端连接,所述输入电路的负极经由所述电流检测电阻与所述输出电路负极连接,所述电流检测电阻上形成回馈电压作用于所述电压比较电路的第二输入端,所述防反灌电路包括一P沟道MOSFET、第一电阻、第一稳压管及三极管,所述P沟道MOSFET的漏极与所述输入电路正极连接,所述P沟道MOSFET的源极与所述输出电路的正极连接,所述第一稳压管连接于所述P沟道MOSFET的源极与所述P沟道MOSFET的栅极之间,所述第一稳压管的正极与所述P沟道MOSFET的栅极连接,所述第一电阻与所述第一稳压管并联,所述P沟道MOSFET的栅极经由所述三极管接地,所述电压比较电路的输出端与所述三极管的基极连接,所述电压比较电路对参考电压及所述回馈电压进行比较,通过所述电压比较电路的输出端控制所述P沟道MOSFET工作状态,防止反灌电流从所述输出电路进入所述输入电路。
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