[实用新型]防反灌保护电路

权利要求书

1.一种防反灌保护电路，其电性连接于一输入电路和一输出电 路之间，其特征在于，该防反灌保护电路包括：参考电压提供电路、 电压比较电路及防反灌电路，所述电压比较电路包括电流检测电 阻，所述参考电压提供电路的输出端与所述电压比较电路的第一输 入端连接，所述输入电路的负极经由所述电流检测电阻与所述输出 电路负极连接，所述电流检测电阻上形成回馈电压作用于所述电压 比较电路的第二输入端，所述防反灌电路包括一P沟道MOSFET、 第一电阻、第一稳压管及三极管，所述P沟道MOSFET的漏极与 所述输入电路正极连接，所述P沟道MOSFET的源极与所述输出 电路的正极连接，所述第一稳压管连接于所述P沟道MOSFET的 源极与所述P沟道MOSFET的栅极之间，所述第一稳压管的正极 与所述P沟道MOSFET的栅极连接，所述第一电阻与所述第一稳 压管并联，所述P沟道MOSFET的栅极经由所述三极管接地，所 述电压比较电路的输出端与所述三极管的基极连接，所述电压比较 电路对参考电压及所述回馈电压进行比较，通过所述电压比较电路 的输出端控制所述P沟道MOSFET工作状态，防止反灌电流从所 述输出电路进入所述输入电路。

2.如权利要求1所述的防反灌保护电路，其特征在于：所述参 考电压提供电路包括一稳压元件、第七电阻及第八电阻，所述稳压 元件的阴极经由串联连接的第七电阻及第八电阻接地，所述电压比 较电路的第一输入端电性连接于第七电阻及第八电阻之间，所述稳 压元件为所述电压比较电路提供所述参考电压。

3.如权利要求2所述的防反灌保护电路，其特征在于：所述 稳压元件为一可控精密稳压源，所述参考电压提供电路还包括第五 电阻，所述可控精密稳压源的阳极接地，所述可控精密稳压源的参 考极与所述可控精密稳压源的阴极连接，所述可控精密稳压源的阴 极经由所述第五电阻与所述输入电路连接，所述可控精密稳压源的 参考极经由串联连接的第七电阻及第八电阻接地，所述电压比较电 路的第一输入端电性连接于第七电阻及第八电阻之间。

4.如权利要求2所述的防反灌保护电路，其特征在于：所述 稳压元件为一稳压管。

5.如权利要求2所述的防反灌保护电路，其特征在于：所述电 压比较电路还包括一电压比较器、第三电阻、第六电阻及第四电容， 所述电压比较器的第一输入引脚构成所述电压比较电路的第一输 入端，所述电压比较器的第二输入引脚与所述第六电阻连接构成所 述电压比较电路的第二输入端，所述电压比较器的输出引脚构成所 述电压比较电路的输出端，所述电压比较器的输出引脚与所述第二 输入引脚之间连接所述第三电阻，所述电压比较器的第二输入引脚 还经由所述第六电阻和所述电流检测电阻接地，所述电压比较器的 输出引脚经由所述第三电阻与所述第四电容接地。

6.如权利要求5所述的防反灌保护电路，其特征在于：所述 电压比较器为一运算放大电路。

7.如权利要求5所述的防反灌保护电路，其特征在于：所述 防反灌电路还包括第二电阻、第四电阻及第三电容，所述P沟道 MOSFET的栅极经由所述第二电阻与所述三极管接地，所述第四电 阻一端经由所述第三电容接地，所述第四电阻的另一端与所述电压 比较电路的输出端连接，所述三极管的基极连接于所述第四电阻与 所述第三电容之间。

8.如权利要求7所述的防反灌保护电路，其特征在于：所述 三极管为NPN三极管，所述电压比较电路的第一输入端为异相输 入端，所述电压比较电路的第二输入端为同相输入端。

9.如权利要求7所述的防反灌保护电路，其特征在于：所述 三极管为PNP三极管，所述电压比较电路的第一输入端为同相输入 端，所述电压比较电路的第二输入端为异相输入端。

10.如权利要求1所述的防反灌保护电路，其特征在于：所述 输入电路包括交流电流源、整流电路及滤波电路，所述输出电路包 括外接设备，所述交流电流源与所述整流电路连接，所述整流电路 与所述滤波电路连接，所述输入电路的正极为所述整流电路的直流 正极，所述输入电路的负极为所述整流电路的直流负极，所述输出 电路的正极为所述外接设备的正极，所述输出电路的负极为所述外 接设备的负极。