[实用新型]一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器有效
| 申请号： | 201520909519.1 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN205104493U | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 谭秋红;王前进;刘应开;杨志坤;罗文平;谭秋艳 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/10;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 昆明科阳知识产权代理事务所 53111 | 代理人： | 董建国 |
| 地址： | 650500 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | 本实用新型属于存储器技术领域，具体涉及一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器，包括衬底层、栅电极、铁电绝缘层、碳纳米管条纹阵列、源电极和漏电极，所述衬底层上设置有栅电极，栅电极上设置有铁电绝缘层，铁电绝缘层上设置有碳纳米管条纹阵列，碳纳米管条纹阵列上设置有源电极和漏电极。本实用新型器件尺寸小、器件功耗少、器件抗疲劳和保持性能的能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 钙钛矿双栅碳 纳米 管铁电 存储器 | ||
【主权项】：
一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器，其特征在于，包括衬底层（1）、栅电极（2）、铁电绝缘层（3）、碳纳米管条纹阵列（4）、源电极（5）和漏电极（6），所述衬底层（1）上设置有栅电极（2），栅电极（2）上设置有铁电绝缘层（3），铁电绝缘层（3）上设置有碳纳米管条纹阵列（4），碳纳米管条纹阵列（4）上设置有源电极（5）和漏电极（6）。
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