[实用新型]一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器有效
| 申请号： | 201520909519.1 | 申请日： | 2015-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN205104493U | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 谭秋红;王前进;刘应开;杨志坤;罗文平;谭秋艳 | 申请（专利权）人： | 云南师范大学 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L29/423;H01L29/51;H01L29/10;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 昆明科阳知识产权代理事务所 53111 | 代理人： | 董建国 |
| 地址： | 650500 云南省昆*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 钙钛矿双栅碳 纳米 管铁电 存储器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器，其特征在于，包括衬底层（1）、栅电极（2）、铁电绝缘层（3）、碳纳米管条纹阵列（4）、源电极（5）和漏电极（6），所述衬底层（1）上设置有栅电极（2），栅电极（2）上设置有铁电绝缘层（3），铁电绝缘层（3）上设置有碳纳米管条纹阵列（4），碳纳米管条纹阵列（4）上设置有源电极（5）和漏电极（6）。
2.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器，其特征在于，所述衬底层（1）的材料为金属硅。
3.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器，其特征在于，所述栅电极（2）包括第一层栅电极（21）和第二层栅电极（22），第一栅电极的材料为pt，第二栅电极（2）的材料为钙钛矿结构的LaNiO3。
4.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器，其特征在于，所述铁电绝缘层（3）的材料为(Bi,Nd)4Ti3O12。
5.根据权利要求1所述的一种基于钙钛矿双栅碳纳米管铁电存储器，其特征在于，所述源电极（5）和漏电极（6）的材料是钙钛矿结构的LaNiO3。
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