[实用新型]MEMS芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 201520906986.9 申请日: 2015-11-13
公开(公告)号: CN205187843U 公开(公告)日: 2016-04-27
发明(设计)人: 万里兮;马力;付俊;豆菲菲;翟玲玲 申请(专利权)人: 华天科技(昆山)电子有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C3/00
代理公司: 昆山四方专利事务所 32212 代理人: 盛建德;段新颖
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种MEMS芯片封装结构,首先,选取与MEMS芯片相同材质的盖板,盖板具有第一表面和第二表面,在盖板第二表面利用硅通孔工艺开引线开口,并于第二表面及引线开口内依次铺设第二绝缘层、第二金属线路层、保护层,在第二金属线路层上预留出焊盘位置,焊盘上长有焊球;其次,在盖板第一表面依次铺设第一绝缘层、第一金属线路层和缓冲层,并制作空腔,最后于缓冲层上制作密封环和导电凸点,使空腔宽度大于功能芯片功能区的宽度;接着,将MEMS芯片的焊垫与盖板第一表面的导电凸点键合,即可完成对芯片的封装。本实用新型通过增设缓冲层,增加了密封环与盖板的结合力,保证了密封能力,并提高了抗气压能力,增加了可靠性。
搜索关键词: mems 芯片 封装 结构
【主权项】:
一种MEMS芯片封装结构,其特征在于:包括:盖板(1)和MEMS芯片(2),所述MEMS芯片的功能面(201)具有功能区(202)和位于功能区周边的若干焊垫(203),所述焊垫与所述功能区电性相连;所述盖板具有第一表面和与其相对的第二表面,所述盖板的第一表面上铺设有第一绝缘层(3),所述第一绝缘层上铺设有第一金属线路层(4),所述第一绝缘层上除所述第一金属线路层外的区域上及所述第一金属线路层上铺设有缓冲层(5),所述第一金属线路层上预设有密封环连接部(401)和与若干所述焊垫相对应的导电凸点连接部(402),所述缓冲层上开设有暴露所述密封环连接部的第一开口(501)和暴露所述导电凸点连接部的第二开口(502),所述第一开口内制作有密封环(6),所述第二开口内制作有导电凸点(7);所述导电凸点与所述MEMS芯片的功能面的所述焊垫键合在一起,使所述密封环密封环绕在所述MEMS芯片的功能区外;所述盖板的第二表面上形成有电导通结构,将所述盖板第一表面的所述第一金属线路层的电性引至所述盖板第二表面上。
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