[实用新型]MEMS芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 201520906986.9 申请日: 2015-11-13
公开(公告)号: CN205187843U 公开(公告)日: 2016-04-27
发明(设计)人: 万里兮;马力;付俊;豆菲菲;翟玲玲 申请(专利权)人: 华天科技(昆山)电子有限公司
主分类号: B81B7/02 分类号: B81B7/02;B81C3/00
代理公司: 昆山四方专利事务所 32212 代理人: 盛建德;段新颖
地址: 215300 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: mems 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种MEMS芯片封装结构,其特征在于:包括:盖板 (1)和MEMS芯片(2),所述MEMS芯片的功能面(201) 具有功能区(202)和位于功能区周边的若干焊垫(203),所 述焊垫与所述功能区电性相连;所述盖板具有第一表面和与其 相对的第二表面,所述盖板的第一表面上铺设有第一绝缘层 (3),所述第一绝缘层上铺设有第一金属线路层(4),所述第 一绝缘层上除所述第一金属线路层外的区域上及所述第一金 属线路层上铺设有缓冲层(5),所述第一金属线路层上预设有 密封环连接部(401)和与若干所述焊垫相对应的导电凸点连 接部(402),所述缓冲层上开设有暴露所述密封环连接部的第 一开口(501)和暴露所述导电凸点连接部的第二开口(502), 所述第一开口内制作有密封环(6),所述第二开口内制作有导 电凸点(7);所述导电凸点与所述MEMS芯片的功能面的所 述焊垫键合在一起,使所述密封环密封环绕在所述MEMS芯 片的功能区外;所述盖板的第二表面上形成有电导通结构,将 所述盖板第一表面的所述第一金属线路层的电性引至所述盖 板第二表面上。

2.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构,其特征 在于:所述盖板第一表面的缓冲层上对应所述MEMS芯片的 功能区的位置形成一空腔(8),且所述空腔位于所述密封环内, 并罩住所述MEMS芯片的功能区。

3.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构,其特征 在于:所述盖板的材质与所述MEMS芯片的基底材质相同。

4.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构,其特征 在于,所述密封环的厚度为2μm~50μm,其材质包括铜、锡、 镍、银、金、钛的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构,其特征 在于:所述密封环与所述导电凸点的材料相同,均为金属材料, 且所述密封环的高度与所述导电凸点的高度相同。

6.根据权利要求1所述的MEMS芯片封装结构,其特征 在于:所述电导通结构包括:

引线开口(9),形成于所述盖板第二表面上并延伸至所述 第一金属线路层上;

第二绝缘层(10),覆盖在所述盖板的第二表面上及所述 引线开口的侧壁上;

第二金属线路层(11),形成于所述第二绝缘层上,电性 连接所述第一金属线路层,并引至所述盖板的第二表面上;

保护层(12),覆盖于所述盖板第二表面及所述第二金属 线路层上;所述保护层上形成有电连接所述第二金属线路层的 预留焊盘的焊球(13)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华天科技(昆山)电子有限公司,未经华天科技(昆山)电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520906986.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top